[发明专利]利用保护层的原位形成的新颖蚀刻工艺

权利要求书

1.一种用于处理晶片的方法，包括：

在微结构上形成掩模，所述掩模包括定位于所述微结构的第一区域之上的具有第一临界尺寸的第一图案以及定位于所述微结构的第二区域之上的具有第二临界尺寸的第二图案，所述第一临界尺寸小于所述第二临界尺寸，所述第一图案包括底表面和顶表面，所述第一图案的所述底表面与所述微结构的所述第一区域接触；

执行第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺根据所述掩模中形成的所述第一图案和所述第二图案来蚀刻所述微结构，以将所述掩模的所述第一图案和所述第二图案分别转移到所述微结构的所述第一区域和所述第二区域中，其中，所述第一图案被转移到所述微结构的所述第一区域中形成多个沟道触点开口，以暴露所述微结构的所述第一区域中包括的电介质层内的多个顶部沟道触点；

在所述掩模的定位于所述微结构的所述第一区域之上的所述第一图案之上，原位形成覆盖所述第一图案的所述顶表面和所述多个沟道触点开口的保护层；

执行第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺蚀刻所述微结构并将所述掩模的所述第二图案进一步转移到所述微结构的所述第二区域中以暴露所述微结构的所述第二区域中包括的多个字线并且在定位于所述微结构的所述第一区域之上的所述保护层的顶表面之上进一步形成附加保护层；以及

从所述微结构去除所述掩模和所述保护层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二蚀刻工艺期间由所述保护层保护所述微结构的所述第一区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一蚀刻工艺还包括：

将所述掩模的所述第一图案转移到所述第一区域中以暴露所述多个顶部沟道触点，并在所述电介质层内形成多个沟道触点开口；以及

将所述掩模的所述第二图案转移到所述第二区域中以在所述电介质层中形成多个沟槽，所述沟槽具有侧面部分和底部部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述掩模的所述第一图案之上形成所述保护层包括：

形成所述保护层以填充所述多个沟道触点开口，其中，所述保护层进一步累积在所述掩模的所述第一图案的所述顶表面上，并且沿所述微结构的所述第二区域中的所述沟槽的侧面部分和底部部分均匀形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述掩模的所述第一图案之上形成所述保护层包括引入处理气体以形成所述保护层，并且所述处理气体包括碳元素、氢元素或氟元素中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第二蚀刻工艺还包括在所述掩模的定位于所述微结构的所述第一区域之上的所述第一图案之上形成聚合层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述微结构去除所述掩模和所述保护层包括引入反应气体以去除所述掩模和所述保护层，所述反应气体包括氧元素、氢元素或氮元素中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

分别根据所述掩模中的所述第一图案和所述第二图案，在蚀刻室中蚀刻出所述微结构的所述第一区域和所述第二区域；

在所述蚀刻室中，在所述掩模的定位于所述微结构的所述第一区域之上的所述第一图案之上形成所述保护层，以保护所述第一区域；以及

在所述蚀刻室中，根据所述掩模中的所述第二图案蚀刻所述微结构的所述第二区域。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺是在第一处理室中执行的，并且所述保护层形成于第二处理室中。