[发明专利]膜层的构图方法、微流控器件及其制作方法

权利要求书

1.一种膜层的构图方法，包括：

提供膜层，包括第一表面；

在所述膜层的第一表面上形成n个刻蚀阻挡层，其中，n为大于等于2的整数；以及

利用所述n个刻蚀阻挡层作为掩模对所述膜层进行n次刻蚀而在所述第一表面上形成凹陷结构，所述凹陷结构包括n种深度不同的底面，所述深度是在垂直于所述膜层的被刻蚀的表面的方向上所述底面到所述第一表面的距离，其中，

所述n个刻蚀阻挡层包括相邻的两个刻蚀阻挡层，所述相邻的两个刻蚀阻挡层分别为在前的刻蚀阻挡层和在后的刻蚀阻挡层，且所述相邻的两个刻蚀阻挡层的材料彼此不相同；

所述n次刻蚀中的相邻两次刻蚀包括在前刻蚀和在后刻蚀，所述在前刻蚀的掩膜是所述相邻的两个刻蚀阻挡层构成的整体结构，通过所述在前刻蚀在所述膜层的第一表面上形成初始凹陷结构；所述相邻的两个刻蚀阻挡层中的一者包括去除部分，所述去除部分在横向上位于所述相邻的两个刻蚀阻挡层中的另一者的靠近所述初始凹陷结构的一侧，所述横向平行于所述膜层的被刻蚀的表面；在完成所述在前刻蚀之后，去除所述去除部分以形成所述在后刻蚀的掩模；

通过对所述初始凹陷结构继续刻蚀而形成所述凹陷结构。

2.根据权利要求1所述的膜层的构图方法，其中，所述相邻的两个刻蚀阻挡层堆叠设置且包括靠近所述膜层的刻蚀阻挡层和远离所述膜层的刻蚀阻挡层，

所述靠近所述膜层的刻蚀阻挡层的一部分在所述膜层上的正投影与所述远离所述膜层的刻蚀阻挡层在所述膜层上的正投影重叠，所述靠近所述膜层的刻蚀阻挡层的另一部分在所述膜层上的正投影与所述远离所述膜层的刻蚀阻挡层在所述膜层上的正投影不重叠；

在完成所述在前刻蚀之后被去除的所述去除部分为所述靠近所述膜层的刻蚀阻挡层的所述另一部分。

3.根据权利要求1所述的膜层的构图方法，其中，

所述n个刻蚀阻挡层在所述膜层上的正投影彼此不重叠；

所述在前刻蚀的掩膜是所述在前的刻蚀阻挡层和所述在后的刻蚀阻挡层构成的整体结构，在完成所述在前刻蚀之后被去除的所述去除部分为所述在前的刻蚀阻挡层，所述在后刻蚀的掩膜是所述在后的刻蚀阻挡层。

4.根据权利要求1所述的膜层的构图方法，其中，所述n个刻蚀阻挡层的材料均彼此不相同。

5.根据权利要求1-4任一所述的膜层的构图方法，其中，在所述在后刻蚀过程中，对在所述在后刻蚀之前所形成的所述底面继续进行刻蚀。

6.根据权利要求5所述的膜层的构图方法，其中，所述凹陷结构在沿垂直于膜层的第一方向上的截面形状包括阶梯状。

7.根据权利要求1-4任一所述的膜层的构图方法，其中，在所述n次刻蚀中，用湿法刻蚀对所述膜层进行刻蚀。

8.根据权利要求1-4任一所述的膜层的构图方法，其中，所述n个刻蚀阻挡层中的每个刻蚀阻挡层的材料包括金属或金属氧化物。

9.根据权利要求1-4任一所述的膜层的构图方法，其中，在完成所述在前刻蚀之后，采用湿法刻蚀去除所述n个刻蚀阻挡层的所述部分。

10.根据权利要求1-4任一所述的膜层的构图方法，其中，形成n个刻蚀阻挡层包括：

在所述膜层上形成覆盖所述膜层的第一刻蚀阻挡材料层，对所述第一阻挡材料层进行第一次构图工艺形成第一刻蚀阻挡层；在第n-1刻蚀阻挡层的远离所述膜层的一侧形成覆盖所述第n-1刻蚀阻挡层的第n刻蚀阻挡材料层，对所述第n刻蚀阻挡材料层进行第n次构图工艺以形成第n刻蚀阻挡层。

11.根据权利要求10所述的膜层的构图方法，其中，形成所述n个刻蚀阻挡层中的每个刻蚀阻挡层包括：

形成刻蚀阻挡材料层；

在所述刻蚀阻挡材料层上形成光刻胶层；

利用所述光刻胶层对所述刻蚀阻挡材料层进行光刻工艺以形成所述刻蚀阻挡层；以及

去除所述光刻胶层。