[实用新型]一种基于硅纳米线结构的太阳能电池

权利要求书

1.一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其自上而下包括正面电极（1）、ITO氧化铟锡透明导电薄膜（2）、P 型非晶硅层（3）、正面本征非晶硅层（4）、硅纳米线绒面层（5）、N型硅衬底（6）、背面本征非晶硅层（7）、背面电极（8），其特征在于：所述的正面本征非晶硅层（4）与N 型硅衬底（6）之间增设有硅纳米线绒面层（5）。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其特征在于：正面电极（1）采用厚度40-80nm的金属银材料。

3.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其特征在于：P型非晶硅层（3）采用厚度为10-20nm的平整平面结构。

4.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其特征在于：正面本征非晶硅层（4）采用厚度为10-20nm的平整平面结构。

5.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其特征在于：硅纳米线绒面层（5）由相互交叉堆叠的硅纳米线构成，通过酒精溶液转移至N型硅衬底（6）上形成的相互交叉堆叠的硅纳米线层，其每根硅纳米线直径为40-80nm，长度为10-40um。

6.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其特征在于：N型硅衬底（6）的厚度为200-300um。

7.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其特征在于：背面本征非晶硅层（7）采用厚度为10-20nm的平整表面结构。

8.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其特征在于：背面电极（8）采用厚度40- 80nm的金属银材料。