[实用新型]一种电压采集电路及电子设备

权利要求书

1.一种电压采集电路，用于采集电芯组的待测电芯的电压值，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为至少两节，其特征在于，所述电压采集电路包括MOS管、补偿电阻以及检测模块；其中，所述MOS管至少包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，所述补偿电阻至少包括第一补偿电阻R1、第二补偿电阻R2；

所述第一MOS管Q1与所述第二MOS管Q2串联于所述电芯组的正极与负极之间，所述第一MOS管Q1与所述第二MOS管Q2之间串联有所述第一补偿电阻R1、所述第二补偿电阻R2；其中，

所述第一MOS管Q1的漏极与所述电芯组的正极连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述电芯组中的待测电芯的正极连接，所述第一MOS管Q1的源极与所述第一补偿电阻R1的一端连接；

所述第二MOS管Q2的漏极与所述第二补偿电阻R2的一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述电芯组的负极连接；

所述检测模块包括检测端，所述检测端连接至所述第一补偿电阻R1与所述第二补偿电阻R2之间用于获得检测电压值，所述检测模块根据所述检测电压值确定所述待测电芯与所述电芯组的负极之间的目标电压值。

2.如权利要求1所述的电压采集电路，其特征在于，所述MOS管的数量与所述补偿电阻的数量相同，且与所述电芯组中待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量相同。

3.如权利要求2所述的电压采集电路，其特征在于，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为三节，所述MOS管还包括第三MOS管Q3，所述补偿电阻还包括第三补偿电阻R3；

所述第三MOS管Q3的漏极与所述第一MOS管Q1的源极连接，所述第三MOS管Q3的栅极与所述第三MOS管Q3的漏极连接，所述第三MOS管Q3的源极与所述第一补偿电阻R1的一端连接；

所述第三补偿电阻R3串联于所述第一补偿电阻R1与所述第二补偿电阻R2之间；

所述检测模块的检测端连接至所述第二补偿电阻R2与所述第三补偿电阻R3之间。

4.如权利要求3所述的电压采集电路，其特征在于，所述待测电芯到所述电芯组的负极之间的电芯数量为四节，所述MOS管还包括第四MOS管Q4，所述补偿电阻还包括第四补偿电阻R4；

所述第四MOS管Q4的漏极与所述第三MOS管Q3的源极连接，所述第四MOS管Q4的栅极与所述第四MOS管Q4的漏极连接，所述第四MOS管Q4的源极与所述第一补偿电阻R1的一端连接；

所述第四补偿电阻R4串联于所述第三补偿电阻R3与所述第二补偿电阻R2之间；

所述检测模块的检测端连接至所述第二补偿电阻R2与所述第四补偿电阻R4之间。

5.如权利要求1-4任意一项所述的电压采集电路，其特征在于，所述MOS管的栅极与源极之间的开启电压值相同。

6.如权利要求1-4任意一项所述的电压采集电路，其特征在于，所述补偿电阻的阻值相同。

7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括多节电芯组成的电芯组以及与所述电芯组连接的电压采集电路，其中：

所述电芯组包括多个待测电芯，每一待测电芯均与所述电压采集电路连接，所述电压采集电路为如权利要求1所述的电压采集电路。