[实用新型]一种基片及器件有效

专利信息
申请号: 201922485661.9 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN211062743U 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 杨帆;严怡然;敖资通;赖学森 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 器件
【权利要求书】:

1.一种基片,其特征在于,所述基片为阶梯式基片,所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片;

所述阶梯式基片用于设置第一电极,所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片,所述第二基片用于设置功能层,所述功能层还覆盖所述第一电极,所述功能层上设置有第二电极,所述第二电极横跨所述第一基片和第二基片,所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。

2.根据权利要求1所述的基片,其特征在于,所述第二基片的侧边与所述第一基片平面的夹角为120-150°。

3.根据权利要求1所述的基片,其特征在于,所述阶梯式基片的高度为1-2mm。

4.根据权利要求3所述的基片,其特征在于,所述第二基片的高度为500-1000um。

5.根据权利要求1所述的基片,其特征在于,所述第一基片和所述第二基片均为矩形,所述第二基片位于所述第一基片的中心位置,所述第二基片的四个侧边均与所述第一基片形成阶梯落差。

6.根据权利要求5所述的基片,其特征在于,所述第一基片与所述第二基片一体成型。

7.一种器件,其特征在于,包括阶梯式基片,所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片,设置在所述阶梯式基片上的第一电极,所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片,设置在所述第二基片上且覆盖所述第一电极的功能层,设置在所述功能层上且横跨所述第一基片和第二基片的第二电极,所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。

8.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,所述器件为量子点发光二极管,所述功能层包括量子点发光层。

9.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,所述器件为有机发光二极管,所述功能层包括有机发光层。

10.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,所述功能层还包括电子功能层和/或空穴功能层。

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