[实用新型]一种基片及器件有效
| 申请号: | 201922485661.9 | 申请日: | 2019-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN211062743U | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
| 发明(设计)人: | 杨帆;严怡然;敖资通;赖学森 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 器件 | ||
1.一种基片,其特征在于,所述基片为阶梯式基片,所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片;
所述阶梯式基片用于设置第一电极,所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片,所述第二基片用于设置功能层,所述功能层还覆盖所述第一电极,所述功能层上设置有第二电极,所述第二电极横跨所述第一基片和第二基片,所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。
2.根据权利要求1所述的基片,其特征在于,所述第二基片的侧边与所述第一基片平面的夹角为120-150°。
3.根据权利要求1所述的基片,其特征在于,所述阶梯式基片的高度为1-2mm。
4.根据权利要求3所述的基片,其特征在于,所述第二基片的高度为500-1000um。
5.根据权利要求1所述的基片,其特征在于,所述第一基片和所述第二基片均为矩形,所述第二基片位于所述第一基片的中心位置,所述第二基片的四个侧边均与所述第一基片形成阶梯落差。
6.根据权利要求5所述的基片,其特征在于,所述第一基片与所述第二基片一体成型。
7.一种器件,其特征在于,包括阶梯式基片,所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片,设置在所述阶梯式基片上的第一电极,所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片,设置在所述第二基片上且覆盖所述第一电极的功能层,设置在所述功能层上且横跨所述第一基片和第二基片的第二电极,所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。
8.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,所述器件为量子点发光二极管,所述功能层包括量子点发光层。
9.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,所述器件为有机发光二极管,所述功能层包括有机发光层。
10.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,所述功能层还包括电子功能层和/或空穴功能层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





