[实用新型]一种同步整流MOS管驱动电路

说明书

本实用新型提供了一种同步整流MOS管驱动电路，包括比较器CMP、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2，其中，所述电阻R1的一端接电源VCC1，所述电阻R1的另一端接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接MOS管SF的源极S，所述电阻R2的一端接电源VCC1，所述电阻R2的另一端接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极接MOS管SF的漏极D，MOS管SF的栅极G与比较器CMP的输出端分别接电源VCC2。本实用新型的有益效果是：使用成本低廉的比较器（或者运算放大器）、二极管、电阻等实现与同步整流芯片相同的驱动功能，成本较低。

技术领域

本实用新型涉及同步整流驱动电路，尤其涉及一种同步整流MOS管驱动电路。

背景技术

同步整流MOS管的驱动信号通常是由同步整流驱动芯片产生，使用同步整流驱动芯片的缺点是成本较高。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种同步整流MOS管驱动电路。

本实用新型提供了一种同步整流MOS管驱动电路，包括比较器CMP、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2，其中，所述电阻R1的一端接电源VCC1，所述电阻R1的另一端接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接MOS管SF的源极S，所述电阻R2的一端接电源VCC1，所述电阻R2的另一端接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极接MOS管SF的漏极D，MOS管SF的栅极G与所述比较器CMP的输出端分别接电源VCC2，所述比较器CMP的同相输入端连接于所述电阻R1、二极管D1的阳极之间，所述比较器CMP的反相输入端连接于所述电阻R2、二极管D2的阳极之间，当有电流流经MOS管SF的体二极管时，其漏极D电压低于源极S电压，相应的，比较器CMP的反相输入端电压低于同相输入端电压，比较器CMP输出高电平施加到MOS管SF的栅极G，MOS管SF完全导通，当MOS管SF没有电流通过时，电源VCC1通过电阻R2和二极管D2施加到MOS管SF的漏极D、源极S两端，MOS管SF的体二极管反向截止，比较器CMP的反相输入端电压接近电源VCC1，远高于同相输入端电压，比较器CMP输出低电平，MOS管SF的栅极G电压被拉低，MOS管SF完全关闭，当输出电压较高时，二极管D2反向截止起到保护驱动电路的作用。

作为本实用新型的进一步改进，电源VCC1、电源VCC2共用一路，所述比较器CMP采用运算放大器代替。

作为本实用新型的进一步改进，所述比较器CMP的同相输入端连接有电阻R+，所述比较器CMP的反相输入端连接有电阻R-。

作为本实用新型的进一步改进，所述比较器CMP的输出端连接有上拉电阻R3，所述上拉电阻R3接电源VCC2。

作为本实用新型的进一步改进，所述MOS管SF的栅极G连接有驱动电阻Rg，所述驱动电阻Rg分别与所述比较器CMP的输出端、上拉电阻R3连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述比较器CMP的输出端连接有一级放大电路，所述一级放大电路串联驱动电阻Rg后接于所述MOS管SF的栅极G。

作为本实用新型的进一步改进，所述一级放大电路为一级推挽电路。

作为本实用新型的进一步改进，所述二极管D1采用电阻R4代替，所述二极管D2采用电阻R5代替。

作为本实用新型的进一步改进，所述二极管D1的阳极、电阻R1之间串联有电阻R4，所述比较器CMP的同相输入端连接于所述电阻R1、电阻R4之间，所述二极管D2的阳极、电阻R2之间串联有电阻R5，所述比较器CMP的反相输入端连接于所述电阻R1、电阻R5之间。

作为本实用新型的进一步改进，所述比较器CMP的同相输入端、输出端之间连接有反馈电阻Rf。

作为本实用新型的进一步改进，省去所述二极管D1、二极管D2。