[实用新型]一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置

权利要求书

1.一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，包括用于置放掺杂剂的放置筒和用于固定所述放置筒的防护罩，所述放置筒置于所述防护罩内侧；所述放置筒下端面为平面，在所述放置筒下端面至少设有一组通孔；被熔化的掺杂剂穿过所述通孔再经所述防护罩内侧并沿所述防护罩下端面与硅熔液充分混合。

2.根据权利要求1所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述通孔均匀设置在所述放置筒下端面；所述通孔为倒锥形结构，所述通孔靠近所述防护罩开口一侧的孔径小于远离所述防护罩开口一侧的孔径。

3.根据权利要求2所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述放置筒与所述防护罩同轴设置，所述放置筒外壁与所述防护罩内壁可拆卸连接设置。

4.根据权利要求3所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述放置筒上端面与所述防护罩顶部有一定距离；所述放置筒高度大于所述放置筒内径。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述防护罩包括上段部和与所述上段部一体连接的下段部，所述上段部内径小于所述下段部内径；所述放置筒位于所述上段部内侧。

6.根据权利要求5所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述上段部和所述下段部均为直壁式筒状结构；所述下段部内径不小于所述上段部内径的1/2，且不大于石英坩埚内径。

7.根据权利要求6所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述下段部高度是所述上段部高度的1/8-1/6。

8.根据权利要求7所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述放置筒下端面距离所述防护罩下端面的高度大于距离所述防护罩上端面的高度。

9.根据权利要求6-8任一项所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，所述上段部与所述下段部壁厚相同。

10.根据权利要求9所述的一种用于降低单晶电阻率的重掺掺杂装置，其特征在于，在所述防护罩还包括与所述上段部一体连接设置的吊装部，所述吊装部为锥形结构，所述吊装部母线与所述上段部端面夹角为30°。