[实用新型]一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片有效

专利信息
申请号: 201922469017.2 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN211182474U 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 周敏;李元丞;周欣怡 申请(专利权)人: 上海华湘计算机通讯工程有限公司
主分类号: H01P1/22 分类号: H01P1/22
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 刘常宝
地址: 200233 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化铍 陶瓷 50 30 db 衰减
【说明书】:

实用新型公开了一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片,其包括:氧化铍基片,氧化铍基片的上表面上设有第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻;第一银引线和第二银引线,第一并联电阻、串联电阻、第二并联电阻通过连接中心导带、第一银引线、第二银引线形成分布式衰减电路,所述分布式衰减电路通过第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接进行接地导通;氧化铝盖板,氧化铝盖板设置在氧化铍基片上表面。本实用新型体积小,衰减平坦度好,阻值精度和衰减精度高,大大提高了功率容量。

技术领域

本实用新型涉及一种衰减片,具体涉及一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片。

背景技术

氧化铍陶瓷基板50瓦30dB集成衰减器是集成衰减器的一种,广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件,要求对两端电路的影响越小越好。

目前,集成衰减器其衰减值最高能达到20dB,对于30dB等更大衰减值特别是50瓦以上相应空缺。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述问题,从而提供一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB 衰减片。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案如下:

一种氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片,所述氧化铍陶瓷基板50瓦30dB 衰减片包括底板,所述氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片还包括:

氧化铍基片,所述氧化铍基片的上表面上设有第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻,所述第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接,所述第一并联电阻与第一接地电极连接,所述第二并联电阻与第二接地电极连接,所述中心导带分别连接第一并联电阻和第二并联电阻,所述串联电阻与中心导带连接;

第一银引线和第二银引线,所述第一银引线与串联电阻一端连接,所述第二银引线与串联电阻另一端连接,所述第一并联电阻、串联电阻、第二并联电阻通过连接中心导带、第一银引线、第二银引线形成分布式衰减电路,所述分布式衰减电路通过第一接地电极和第二接地电极分别与底板连接进行接地导通;

氧化铝盖板,所述氧化铝盖板设置在氧化铍基片上表面,并将第一接地电极、第一并联电阻、中心导带、串联电阻、第二接地电极和第二并联电阻密封住。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述氧化铍基片的下表面设有焙银层。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述第一并联电阻、第二并联电阻和串联电阻都由真空溅射氮化钽厚膜工艺制作而成。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述分布式衰减电路为对称结构。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型体积小,衰减平坦度好,阻值精度和衰减精度高,大大提高了功率容量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。

参见图1,本实用新型提供的氧化铍陶瓷基板50瓦30dB衰减片,其包括底板1、第一接地电极2、第一并联电阻3、中心导带4、第一银引线5、串联电阻6、氧化铍基片7、第二接地电极8、氧化铝盖板9、第二银引线10、第二并联电阻11。

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