[实用新型]图像传感器和用于图像传感器的电路有效

专利信息
申请号: 201922451056.X 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN211352319U 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: B·克雷默斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 张玮;王琳
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 用于 电路
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:

图像像素阵列;

行驱动器电路,所述行驱动器电路在所述阵列的外围处形成,其中,所述行驱动器电路经由行控制线向所述阵列中的给定图像像素行提供行控制信号;和

多个本地像素驱动器电路,所述多个本地像素驱动器电路经由所述行控制线从所述行驱动器电路接收信号,向所述给定图像像素行提供对应信号,以及减小所述行控制线上的电容负载的总量。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述阵列中的所述给定图像像素行中的每个图像像素包括:

光敏元件;和

晶体管,所述晶体管耦接到所述光敏元件,其中,所述晶体管从所述多个本地像素驱动器电路中的一个接收所述行控制信号,其中,所述多个本地像素驱动器电路中的每一个包括比所述给定图像像素行中的所述图像像素中的每一个中的所述晶体管更小的下拉晶体管。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述多个本地像素驱动器电路中的每一个中的所述下拉晶体管比所述给定图像像素行中的所述图像像素中的每一个中的所述晶体管小至少五到十倍。

4.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述多个本地像素驱动器电路中的每一个还包括比所述给定图像像素行中的所述图像像素中的每一个中的所述晶体管更小的上拉晶体管。

5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述多个本地像素驱动器电路中的每一个中的所述上拉晶体管比所述给定图像像素行中的所述图像像素中的每一个中的所述晶体管小五到十倍。

6.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述阵列中的所述给定图像像素行中的每个图像像素还包括:

附加晶体管,所述附加晶体管耦接到所述光敏元件,其中,所述晶体管是比所述附加晶体管大至少两倍的抗光晕晶体管。

7.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述阵列中的所述给定图像像素行中的每个图像像素还包括:

附加晶体管,所述附加晶体管耦接到所述光敏元件,其中所述晶体管是比所述附加晶体管大至少两倍的电荷转移晶体管。

8.一种用于图像传感器的电路,其特征在于,所述电路包括:

行驱动器电路,所述行驱动器电路驱动行线;

图像像素,所述图像像素具有电荷转移晶体管,其中,所述电荷转移晶体管具有从所述行线接收控制信号的栅极端子;和

本地像素驱动器电路,所述本地像素驱动器电路耦接在所述行线和所述电荷转移晶体管的所述栅极端子之间。

9.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述本地像素驱动器电路包括:

下拉晶体管,所述下拉晶体管直接连接到与所述行线正交延伸的第一本地电源列线;和

上拉晶体管,所述上拉晶体管直接连接到与所述行线正交延伸的第二本地电源列线,其中,所述电荷转移晶体管比所述本地像素驱动器电路中的所述下拉晶体管大至少五倍。

10.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:

行驱动器,所述行驱动器驱动行线;

全局快门图像像素行,所述全局快门图像像素行从所述行线接收行控制信号;和

本地像素驱动器,所述本地像素驱动器插置在所述行线和所述全局快门图像像素行之间,其中,在所述全局快门图像像素行中的至少两个图像像素之间共享所述本地像素驱动器。

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