[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

基底；

形成于所述基底中的第一单光子雪崩二极管；

形成于所述基底中的第二单光子雪崩二极管；和

形成在所述基底之上的光衰减层，其中，所述光衰减层的第一部分覆盖所述第一单光子雪崩二极管并且在给定波长处具有第一透射率，并且其中，所述光衰减层的第二部分覆盖所述第二单光子雪崩二极管并且在给定波长处具有与所述第一透射率不同的第二透射率。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

形成在所述第一单光子雪崩二极管之上的第一微透镜，其中，所述光衰减层的所述第一部分插置在所述第一微透镜和所述第一单光子雪崩二极管之间；和

形成在所述第二单光子雪崩二极管之上的第二微透镜，其中，所述光衰减层的所述第二部分插置在所述第二微透镜和所述第二单光子雪崩二极管之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光衰减层的所述第一部分和所述第二部分分别是第一干涉滤光器和第二干涉滤光器。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光衰减层包括具有开口的不透明层，其中，所述第二透射率大于所述第一透射率，并且其中，所述光衰减层的所述第二部分在所述不透明层中具有比所述光衰减层的所述第一部分更多的开口。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光衰减层包括具有开口的不透明层，其中，所述第二透射率大于所述第一透射率，并且其中，所述光衰减层的所述第二部分在所述不透明层中具有比所述光衰减层的所述第一部分大的开口。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一透射率和所述第二透射率相差大于二倍且小于十倍。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

形成于所述基底中的第三单光子雪崩二极管，其中，所述光衰减层的第三部分覆盖所述第三单光子雪崩二极管并且在给定波长处具有不同于所述第一透射率和所述第二透射率的第三透射率。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

多个单光子雪崩二极管；

多个微透镜，其中，每个微透镜覆盖所述多个单光子雪崩二极管中的相应一者；和

多个光衰减元件，其中，每个光衰减元件插置在相应微透镜和相应单光子雪崩二极管之间，并且其中，所述多个光衰减元件包括具有不同的相应透射百分比的至少第一光衰减元件和第二光衰减元件。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

单光子雪崩二极管阵列；和

光衰减层，所述光衰减层形成在所述单光子雪崩二极管阵列之上，其中，所述光衰减层具有多个部分，所述多个部分将不同量的给定波长的入射光透射到所述单光子雪崩二极管阵列。