[实用新型]利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带

权利要求书

1.一种利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其中，所述半导体芯片为平面形的，在通电状态下其上下表面因霍尔效应分别产生一个热面一个冷面，其特征在于，还包括;

散热片, 其在半导体芯片上下或前后表面各贴装一片以形成一散热芯片组;

温度传感器，为杆状的，用于测量和调控半导体芯片发热的温度；可使半导体芯片热面发热所产生的加热温度保持在30-55℃的可控范围内；

携带式织物套, 包括大套和位于大套一侧表面中间位置的小套，其中，大套内安放已贴盖散热片的半导体芯片的散热芯片组，小套内安放温度传感器，并且该温度传感器是紧贴在半导体芯片的热面上；

绑捆式织物带，包括两条，即第一带子和第二带子，它们一端连接在织物套大套两端、另一端或自由端上具有相对结合而固定于使用者身上的绑捆结构，以及在两条带子之一的第二带子上还设置有一插袋；

控制器，包括控制盒、安装于控制盒中的温控装置和装于控制盒上的插座，其中，温控装置包括比较器、继电器、温度调节按钮、电源、电源开关和接线柱，以用于对温度传感器测试到的温度信号通过导线传输到进行监控，而控制器安放于第二带子的插袋中；

所述电源有两组，第一电源和第二电源，都为直流电源或电池，直流电源和电池的电压在2~12V，电流为1000-4000mA，所述半导体芯片设有连接第二电源的导线或导线插头，以在使用时与织物带上的电源接线柱或插座相结合，控制器的温控装置连接第一电源。

2.如权利要求1所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述半导体芯片型号为TEC1-127xx系列单晶硅芯片，所述半导体芯片的尺寸为45 mm×45 mm×5~10 mm。

3.如权利要求1 所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述温度传感器为热敏电阻传感器。

4.如权利要求1所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述比较器为LM311，用于受热后随分压点改变瞬时与基准电压比较后通过继电器实施对单晶硅芯片供电的第二电源的连接或切断。

5.如权利要求1所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述织物套和织物带可选自毛毯、棉毯、阻燃的化学纤维毯或它们的一种或几种制毯织物的混合制品，还必须要有弹性。

6.如权利要求1所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述第一电源的电池的电压为3.7V，电流3000mA的锂电池，所述第二电源的电池的电压为7.4V，电流3000mA的锂电池。

7.如权利要求1或4所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述散热片贴装在半导体芯片上下或前后表面是采用粘接剂。

8.如权利要求1所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述绑捆结构为两个相对锁定的搭扣。

9.如权利要求2所述的利用具有霍尔效应的半导体芯片制作的取暖带，其特征在于，所述TEC1-127xx系列单晶硅芯片为TEC1-12703~TEC1 -12715单晶硅芯片。