[实用新型]半导体芯片封装结构有效
| 申请号： | 201922429738.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN211088247U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 徐罕;陈彦亨;吴政达;林正忠;高建章 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 结构 | ||
1.一种半导体芯片封装结构，其特征在于，所述半导体芯片封装结构包括：
半导体芯片；
导电柱，位于所述半导体芯片的上表面，所述导电柱与所述半导体芯片电连接；
环氧树脂层，所述环氧树脂层将所述半导体芯片及所述导电柱塑封且覆盖所述半导体芯片的侧壁，所述环氧树脂层的下表面和所述半导体芯片的下表面相平齐，所述导电柱暴露于所述环氧树脂层的上表面；
聚合树脂层，位于所述环氧树脂层的上表面，所述聚合树脂层内具有开口，所述开口暴露出所述导电柱；
凸块下金属层，位于所述导电柱的上表面且延伸到所述聚合树脂层的上表面；
焊球，位于所述凸块下金属层的上表面，且所述焊球的上表面高于所述聚合树脂层的上表面；
保护膜，位于所述半导体芯片和所述环氧树脂层的下表面。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述半导体芯片封装结构还包括金属种子层，位于所述半导体芯片和所述导电柱之间。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述凸块下金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述导电柱的上表面且延伸到所述聚合树脂层的上表面，所述第二金属层位于所述第一金属层的上表面。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述第一金属层包括铜层和钛层，所述铜层位于所述导电柱的上表面且延伸到所述聚合树脂层的上表面，所述钛层位于所述铜层的上表面，所述第二金属层包括电镀铜层。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述聚合树脂层内的开口自下而上逐渐增大。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述聚合树脂层的厚度小于所述环氧树脂层的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述导电柱包括铜柱。
8.根据权利要求1～7任一项所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述保护膜包括树脂膜。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片封装结构，其特征在于：所述保护膜的厚度为8～50μm。
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