[实用新型]一种可随机读取的有源像素电路有效
| 申请号： | 201922425983.4 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN211378129U | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 王凯;许忆彤;齐一泓;石睿 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 林玉芳 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 随机 读取 有源 像素 电路 | ||
1.一种可随机读取的有源像素电路，其特征在于，包括：光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一电源以及第二电源；
所述第一电源与所述第二晶体管的漏极连接且通过所述二极管与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的顶栅连接，所述第一晶体管的源极接地，所述第二晶体管的底栅与所述第二电源连接，所述第二晶体管的源极为信号输出端。
2.根据权利要求1所述的有源像素电路，其特征在于，所述第一晶体管为单栅晶体管，所述第二晶体管为双栅晶体管。
3.根据权利要求2所述的有源像素电路，其特征在于，所述光电二极管为n-i-p结构的光电二极管，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为n型半导体器件，所述第一电源与所述光电二极管的阴极连接，所述光电二极管的阳极与所述第一晶体管的漏极连接。
4.根据权利要求2所述的有源像素电路，其特征在于，所述光电二极管为p-i-n结构的光电二极管，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为p型半导体器件，所述第一电源与所述光电二极管的阳极连接，所述光电二极管的阴极与所述第一晶体管的漏极连接。
5.一种可随机读取的有源像素电路，其特征在于，包括：光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一电源以及第二电源；
所述第一电源与所述第一晶体管的漏极以及所述第二晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的顶栅连接且通过所述光电二极管接地，所述第二晶体管的底栅与所述第二电源连接，所述第二晶体管的源极为信号输出端。
6.根据权利要求5所述的有源像素电路，其特征在于，所述第一晶体管为单栅薄膜晶体管，所述第二晶体管为双栅薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的有源像素电路，其特征在于，所述光电二极管为n-i-p结构的光电二极管，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为n型半导体器件，所述光电二极管的阴极与所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的顶栅连接，所述二极管的阳极接地。
8.根据权利要求6所述的有源电路，其特征在于，所述光电二极管为p-i-n结构的光电二极管，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为p型半导体器件，所述光电二极管的阳极与所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的顶栅连接，所述二极管的阴极接地。
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