[实用新型]一种交直流切换控制系统有效

专利信息
申请号: 201922425057.7 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN211123819U 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 刘华刚;谢胜涛;阳宁峰;易文珊 申请(专利权)人: 重庆希诺达通信有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 霍维英
地址: 400039 重庆市九龙坡区科城路71号*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 直流 切换 控制系统
【说明书】:

实用新型公开一种交直流切换控制系统,包括电源模块(E)和检测控制模块,所述电源模块(E)用于将输入电流转换为负载所需直流电,输入电流经过电源模块(E)后分别由正极输出端(N)和负极输出端(L)输出;所述检测控制模块包括驱动控制芯片(C),还包括串联的取样电阻(R)、第一N沟道MOS管(Q1)和第二N沟道MOS管(Q2),取样电阻(R)反馈信号给驱动控制芯片(C)控制第一N沟道MOS管(Q1)或第二N沟道MOS管(Q2)的截止/导通。当驱动控制芯片(C)检测到反向电流时,控制第二N沟道MOS管(Q2)截止,防止电路倒灌;当驱动控制芯片C检测的输出电流大于其内部电流限值时,控制第一N沟道MOS管(Q1)截止,防止输出过流进行短路保护。

技术领域

本实用新型涉及交、直流供电技术领域,特别涉及一种交直流切换控制系统。

背景技术

目前,在电源领域上针对交、直流接入的输入源切换方案较多,其方案大多采用输出端串联二极管防倒灌,或采用继电器等开关器件进行控制。应用于电源的输入源自动切换过程仍存在如下问题:

1、输出端串联二极管虽能做到无缝切换,但器件功耗较高,整机效率偏低;

2、采用继电器等开关器件控制时,可降低功耗,但在切换过程中存在一定的切换时间,对次级设备会造成瞬间掉电的影响。

故传统的切换技术相对具有一定的局限性,无法在降低功耗的同时并解决切换时间的问题。

实用新型内容

针对现有技术中所存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种交直流切换控制系统,以解决在切换电路无法同时降低功耗并解决切换时间的问题。

为实现上述目的,本实用新型采用如下的技术方案:

一种交直流切换控制系统,包括电源模块E和检测控制模块,所述电源模块E用于将输入电流转换为负载所需直流电,输入电流经过电源模块E后分别由正极输出端N和负极输出端L输出;所述检测控制模块包括驱动控制芯片C,还包括串联的取样电阻R、第一N沟道MOS管Q1和第二N沟道MOS管Q2,取样电阻R反馈信号给驱动控制芯片C控制第一N沟道MOS管Q1或第二N沟道MOS管Q2的截止/导通。

进一步地,所述驱动控制芯片C接收取样电阻R反馈的输出电流并与其内部的电流限值比对,输出电流大于/小于电流限值,驱动控制芯片C控制第一N沟道MOS管Q1截止/导通;所述驱动控制芯片C检测到取样电阻R的反向电流时,控制第二N沟道MOS管Q2截止,反之导通。

优选地,所述驱动控制芯片C采用芯片LTC4364-2,芯片LTC4364-2引脚HGATE与第一N沟道MOS管Q1的第一栅极G1连接,引脚DGATE与第二N沟道MOS管Q2的第二栅极G2连接,引脚SENSE接入取样电阻R输入端,引脚OUT接入取样电阻R输出端,引脚SOURCE与第一N沟道MOS管Q1的第一源极S1和第二N沟道MOS管Q2的第二源极S2连接;第一N沟道MOS管Q1的第一源极S1与第二N沟道MOS管Q2的第二源极S2连接,第一N沟道MOS管Q1的第一漏极D1接入正极输出端N,第二N沟道MOS管Q2的第一漏极D2接入取样电阻R输入端。

优选地,根据输入电流为交/直流电,电源模块E采用AC-DC/DC-DC转换器。

相比于现有技术,本实用新型具有如下有益效果:

本实用新型在电源模块输出端进行交、直流的接入设计,N沟道MOS管导通时内阻非常低,能有效降低功耗,通过串联两个N沟道MOS管可在降低功耗的同时解决切换时间的问题,两个N沟道MOS管通过驱动控制芯片C控制其截止/导通,当驱动控制芯片C检测到反向电流时,控制第二N沟道MOS管Q2截止,其特性等效于二极管,可以实现电路中多路并联防倒灌及进行电流接入;当驱动控制芯片C接收到取样电阻反馈的输出电流大于其内部电流限值时,驱动芯片C控制第一N沟道MOS管Q1截止,电路能有效完成输出过流及短路保护,防止输出电流过大而损坏电源模块E。

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