[实用新型]一种飞行时间接收器、模组、模块、系统及终端有效

专利信息
申请号: 201922401140.0 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN211653133U 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 邓明育 申请(专利权)人: 深圳荆虹科技有限公司
主分类号: G01S7/4861 分类号: G01S7/4861;G01S7/4865
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张睿
地址: 518109 广东省深圳市龙华区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 飞行 时间 接收器 模组 模块 系统 终端
【说明书】:

本实用新型实施例提供一种飞行时间接收器、模组、模块、系统及终端,包括所述镜头,用于接收所述组合光线;所述滤光片,用于对所述组合光线进行过滤;所述锗硅图像传感器,用于接收所述预设频谱的光信号,并将其转化为三维图像信息。本实用新型实施例提供的飞行时间接收器、模组、模块、系统及终端,提高了对红外光线的探测精度。

技术领域

本实用新型涉及三维感知技术领域,尤其涉及一种飞行时间接收器、模组、模块、系统及终端。

背景技术

在三维感知技术里,目前主要有三种比较常用的方法,一种是双目立体法,另一种是结构光法,还有一种是飞行时间法,均是用于进行距离或深度测量;其中飞行时间法具有较多的优势更受市场欢迎。飞行时间,亦称为TOF,即Time-Of-Flight的缩写,指的是一种利用光的飞行时间来实现精确测量距离或深度的技术。目前已经广泛应用于手机等消费类电子行业,金融支付、汽车驾驶、AR/VR游戏娱乐、医疗护理、智能穿戴、无人机、机器人、电子围栏等领域中。

在传统的飞行时间技术当中,常常使用的850nm~950nm的短波红外光线,调制频率最高不过100MHz,以及硅衬底的CMOS图像传感器,当光线的波长越长时,硅衬底的CMOS图像传感器的光电转换量子效率在940nm处约为40%,在1000nm处基本接近为零了,导致即使在优化到极致的情况下,探测精度最高也仅为1%,从而影响三维成像效果,而且使用这个短波红外光线还会产生辐射,从而使得对人眼造成非常大的伤害,在短距离范围内必须控制在较低的功率,从而亦降低了深度探测精度;而在中远距离范围内控制较低的功率根本无法进行探测,基于上述CMOS图像传感器的结构缺陷,限制了飞行时间技术的应用。

发明内容

针对现有技术存在的问题,本实用新型实施例提供一种飞行时间接收器,沿组合光线的射入方向所述飞行时间接收器依次包括:镜头、滤光片和锗硅图像传感器,其中:

所述镜头,用于接收所述组合光线;其中,所述组合光线包括反射光信号和自然光线、所述反射光信号是预先经过调制处理得到的、被拍摄镜头中的目标物体反射回的调制光信号;

所述滤光片,用于对所述组合光线进行过滤,以使所述反射光信号中的预设频谱的光信号透过所述滤光片;

所述锗硅图像传感器,用于接收所述预设频谱的光信号,并将其转化为三维图像信息;其中,所述锗硅图像传感器包括复合衬底层,在所述复合衬底层内埋置有增强吸收像素传感器;所述增强吸收像素传感器包括增强吸收光电探测器、晶体管和连接所述增强吸收光电探测器和所述晶体管的导电路径、所述复合衬底层至少包括依次由硅层和包含有锗元素的层组成的二层结构、且所述增强吸收光电探测器被埋置在包含有锗元素的层中。

其中,所述复合衬底层包括:

由硅层和锗硅层组成的二层结构;

或者,由硅层和锗层组成的二层结构。

其中,所述复合衬底层包括:

由硅层和锗硅层和硅层组成的三层结构;

或者,由硅层和锗层和硅层组成的三层结构。

其中,所述锗硅图像传感器为前照式BSI架构、背照式BSI架构或者堆叠式Stack架构。

其中,所述锗硅图像传感器采用COB、CSP、FC、COM、CLCC或者PLCC进行封装。

其中,所述锗硅图像传感器吸收850nm~1550nm波长中的任意波段光信号,和/或接收100MHZ到300MHZ频谱中的任意频段光信号。

本实用新型实施例提供一种包含上述飞行时间接收器的飞行时间模组,所述飞行时间模组还包括飞行时间发射器和电路板,其中:

所述飞行时间发射器,用于发射红外光线信号;

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