[实用新型]一种微天平晶体传感器结构

权利要求书

1.一种微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述传感器结构（1）包括石英晶体震荡片（4）、晶片基座（2）、绝缘手持棒（3）、金镀层、镍镀层（7）和信号线（8），所述石英晶体震荡片（4）为圆形，所述石英晶体震荡片（4）与晶片基座（2）固定连接，所述绝缘手持棒（3）与晶片基座（2）固定连接，所述金镀层包括反面金镀层（5）和正面金镀层（6），所述反面金镀层（5）设置于石英晶体震荡片（4）的反向圆形侧面，所述正面金镀层（6）设置于所述石英晶体震荡片（4）的正向圆形侧面，所述镍镀层（7）设置于所述反面金镀层（5）和所述正面金镀层（6）的外表面，所述信号线（8）固定设置于所述镍镀层（7）外表面。

2.根据权利要求1所述的微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述正面金镀层（6）的厚度为0.05-0.15μm，所述反面金镀层（5）的厚度为0.05-0.15μm。

3.根据权利要求1所述的微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述镍镀层（7）和金镀层之间设置有有机酸镀层，所述有机酸镀层包括16-巯基-16烷基酸。

4.根据权利要求3所述的微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述有机酸镀层的厚度为0.02-0.1μm。

5.根据权利要求1所述的微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述镍镀层（7）的厚度为0.05-0.15μm，所述镍镀层（7）包括NiO-NH2。

6.根据权利要求1所述的微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述晶片基座（2）采用绝缘材料，所述绝缘手持棒（3）采用绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述信号线（8）设置有两根，所述信号线（8）分别与镍镀层（7）的两个外表面连接，所述信号线（8）一端通过导电胶固定在镍镀层（7）的外表面。

8.根据权利要求1所述的微天平晶体传感器结构，其特征在于，所述绝缘手持棒（3）为空心结构的长方体，所述信号线（8）的一端经晶片基座（2）伸入绝缘手持棒（3）中。