[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体裸片，包括第一表面和横向于所述第一表面的第二表面；

接触焊盘，所述接触焊盘在所述半导体裸片的所述第一表面上；

再分布层，所述再分布层在所述半导体裸片的所述第一表面和所述接触焊盘上，所述再分布层具有延伸部分，所述延伸部分从所述接触焊盘延伸到所述半导体裸片的所述第二表面，所述延伸部分包括在所述半导体裸片的所述第二表面上的第一电触点；以及

导电结构，所述导电结构在所述再分布层上与所述接触焊盘间隔开，所述导电结构包括在所述半导体裸片的所述第一表面上的第二电触点。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电触点包括凸块下金属结构、焊料球或焊料凸块。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电触点和所述第二电触点提供彼此不同的电信号。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体裸片包括与所述第一表面相对的第三表面，并且所述延伸部分延伸越过所述第一表面到达所述半导体裸片的所述第三表面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述延伸部分从所述第一表面到所述半导体裸片的所述第三表面覆盖所述第二表面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

钝化层，所述钝化层在所述再分布层与所述半导体裸片之间，所述钝化层与所述接触焊盘的第一部分重叠。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一电介质层，所述第一电介质层在所述再分布层与所述钝化层之间，所述第一电介质层与所述接触焊盘的第二部分重叠，所述第二部分在所述接触焊盘的所述第一部分与所述接触焊盘的第三部分之间，所述接触焊盘的所述第三部分与所述再分布层接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第二电介质层，所述第二电介质层在所述再分布层上；以及

所述导电结构，包括：

金属化层，所述金属化层在所述再分布层上与所述接触焊盘间隔开。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

模具保护层，所述模具保护层在所述半导体裸片的所述第二表面与所述再分布层的所述延伸部分之间。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一半导体裸片，包括第一表面、第二表面和第三表面；

第一再分布层，所述第一再分布层在所述第一半导体裸片的所述第一表面上，所述第一再分布层具有延伸部分，所述延伸部分从所述第一表面延伸到所述第二表面；

第二半导体裸片，包括第四表面、第五表面和第六表面，所述第二半导体裸片的所述第四表面面向所述第一半导体裸片的所述第三表面；

第二再分布层，所述第二再分布层在所述第二半导体裸片的所述第六表面上，所述第二再分布层具有延伸部分，所述延伸部分从所述第六表面延伸到所述第五表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

导电连接，电连接所述第一再分布层和所述第二再分布层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述导电连接包括焊料凸块、焊料接头、焊料球、或引线键合。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体裸片的所述第二表面和所述半导体裸片的所述第五表面共面。