[实用新型]一种电注入装置有效
申请号: | 201922388901.3 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN210778646U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 张达奇;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 注入 装置 | ||
1.一种电注入装置,包括壳体(1)和电注入部,所述壳体(1)内具有工艺腔(10),所述电注入部能向容置于所述工艺腔(10)内的硅片通电,其特征在于,所述电注入装置还包括:
辅助加热结构(2),设置于所述工艺腔(10)内,所述辅助加热结构(2)与备用电源电性连接,以在通电时加热所述硅片;及
测温组件(3),设置于所述工艺腔(10)内,所述测温组件(3)用于测量所述硅片的温度,并与所述备用电源电性连接。
2.根据权利要求1所述的电注入装置,其特征在于,所述辅助加热结构(2)包括红外加热灯管。
3.根据权利要求2所述的电注入装置,其特征在于,所述红外加热灯管的延伸方向平行于所述硅片的传输方向,所述红外加热灯管的长度与所述硅片边长的差值为±5cm。
4.根据权利要求2所述的电注入装置,其特征在于,所述红外加热灯管的延伸方向垂直于所述硅片的传输方向,所述红外加热灯管的长度与所述硅片的叠层高度的差值为±5cm。
5.根据权利要求2所述的电注入装置,其特征在于,所述红外加热灯管的数量为两个以上,各个所述红外加热灯管平行设置。
6.根据权利要求1所述的电注入装置,其特征在于,所述电注入装置还包括控制器,所述控制器与所述电注入部、所述辅助加热结构(2)、所述测温组件(3)及所述备用电源电性连接。
7.根据权利要求1-6任一项所述的电注入装置,其特征在于,所述壳体(1)包括上下相对的顶壁(11)和底壁(12),以及连接在所述顶壁(11)和所述底壁(12)的侧部且相对设置的两个侧壁(13);
所述电注入装置还包括连接于所述顶壁(11)和所述底壁(12)的端部、用于封闭所述壳体(1)以形成所述工艺腔(10)的门体(4);
所述辅助加热结构(2)设置于所述顶壁(11)、所述底壁(12)或所述侧壁(13)内侧。
8.根据权利要求7所述的电注入装置,其特征在于,所述辅助加热结构(2)对称地设置于两所述侧壁(13)内侧,且与容置于所述工艺腔(10)内的所述硅片的位置对应。
9.根据权利要求7所述的电注入装置,其特征在于,所述门体(4)与所述壳体(1)滑动连接或铰接。
10.根据权利要求1-6任一项所述的电注入装置,其特征在于,还包括传输机构,所述传输机构用于向所述工艺腔(10)内输送硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的