[实用新型]一种Mini LED芯片

权利要求书

1.一种Mini LED芯片，其特征在于，包括：

依次叠加的生长衬底和发光外延，所述发光外延包括依次叠加的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述发光层具有裸露所述第一类型半导体层的电极接触镂空；

位于所述第二类型半导体层背离所述生长衬底一侧的透明导电层，且所述透明导电层对应所述电极接触镂空处相应为镂空；

位于所述透明导电层背离所述生长衬底一侧的扩展电极；

覆盖所述透明导电层和所述扩展电极背离所述生长衬底一侧裸露表面及所述电极接触镂空处的绝缘隔离反射层，其中，所述绝缘隔离反射层对应所述电极接触镂空处具有裸露所述第一类型半导体层的第一通孔，且对应所述扩展电极处具有裸露所述扩展电极的第二通孔；

以及，位于所述绝缘隔离反射层背离所述生长衬底一侧的第一键合电极和第二键合电极，其中，所述第一键合电极通过所述第一通孔与所述第一类型半导体层接触，及所述第二键合电极通过所述第二通孔与所述扩展电极接触。

2.根据权利要求1所述的Mini LED芯片，其特征在于，所述第一键合电极和所述第二键合电极中至少之一者具有多个孔洞。

3.根据权利要求2所述的Mini LED芯片，其特征在于，具有所述多个孔洞的键合电极中，所述多个孔洞划分为第一孔洞组和第二孔洞组；

其中，所述第一孔洞组和所述第二孔洞组关于所述第一通孔至所述第二通孔的连线为对称轴对称。

4.根据权利要求1所述的Mini LED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离反射层还延伸覆盖至所述发光外延的侧面裸露面处。

5.根据权利要求1所述的Mini LED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离反射层为DBR绝缘隔离反射层。

6.根据权利要求5所述的Mini LED芯片，其特征在于，所述DBR绝缘隔离反射层为SiO₂、SiN、TiO₂、Ta₂O₅、MgF中任意组合形成的DBR反射膜系层结构。

7.根据权利要求1所述的Mini LED芯片，其特征在于，所述电极接触镂空为电极接触孔，所述电极接触孔位于所述第二类型半导体层和所述发光层的覆盖区域范围内。