[实用新型]一种大直径硅圆片的去胶设备

说明书

本实用新型提供一种大直径硅圆片的去胶设备，包括机架、升降机构、进料台、浸泡罐、排液系统、操作面板，所述机架用于固定支撑所述去胶设备；所述升降机构设置于所述机架的一侧；所述进料台设置于所述机架的上部；所述进料台与所述升降机构连接，可相对升降；所述浸泡罐设置于所述进料台的下方；所述浸泡罐内设置有加热棒和液位控制装置；所述排液系统设置于所述浸泡罐的下方；所述操作面板用于控制所述升降机构、所述加热棒和所述液位控制装置。本实用新型采用热水浸泡式去胶方式，相较于进口设备的风刀式去胶方式，单颗加工时间节省了约25min，提高了工作效率。该设备结构简单，占用空间小，便于作业和维护；加工成本低，降低了人工和生产成本。

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，尤其是涉及一种大直径硅圆片的去胶设备。

背景技术

目前，半导体晶圆片的生产已慢慢进入大直径化，硅晶圆制造作为半导体产业重要环节，也迎来了发展机遇。国内已有数家企业开始进行300mm硅片的扩产。由于半导体行业所使用加工设备多为进口设备，如大直径硅圆片切割后的去胶清洗设备价格均值千万以上，对生产成本带来极大负担；进口的去胶设备体积较大，不仅需要占用较多的生产面积，还需专人操作维护，浪费人工；进口设备采用的是风刀式去胶方式，单颗大直径硅圆片的加工时间长，生产效率低。

实用新型内容

针对现有的去胶设备存在的不足，本实用新型旨在提供一种大直径硅圆片的去胶设备。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种大直径硅圆片的去胶设备，包括：

机架，所述机架用于固定支撑所述去胶设备；

升降机构，所述升降机构设置于所述机架的一侧；

进料台，所述进料台设置于所述机架的上部；所述进料台与所述升降机构连接，可相对升降；

浸泡罐，所述浸泡罐设置于所述进料台的下方；所述浸泡罐内设置有加热棒和液位控制装置；

排液系统，所述排液系统设置于所述浸泡罐的下方；

操作面板，所述操作面板用于控制所述升降机构、所述加热棒和所述液位控制装置。

进一步地，所述操作面板上设置有数显温控器和限位开关，所述数显温控器用于控制所述浸泡罐内的温度；所述升降机构包括提升机构和提升电机，所述限位开关用于控制所述提升机构的高低位。

更进一步地，所述数显温控器通过调节所述加热棒使所述浸泡罐内的温度为70-90℃。

进一步地，所述排液系统包括排水阀和漏斗，所述排水阀设置于所述漏斗下方；所述漏斗设置于所述浸泡罐的底部。

由于采用上述技术方案，本实用新型涉及的大直径硅圆片的去胶设备，采用的是热水浸泡式去胶方式，与进口设备采用的是风刀式去胶方式相比，单颗加工时间节省了约25min，提高了工作效率。该设备结构简单，占用空间小，便于作业和维护；加工成本低，降低了人工和生产成本。

附图说明

图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图；

图2是本实用新型的一种实施例的侧视图示意图；

图3是本实用新型的一种实施例的俯视图；

图4是本实用新型的一种实施例的使用示意图。

图中：

1、机架 2、提升机构 3、提升电机

4、进料台 5、大直径硅圆片 6、浸泡罐