[实用新型]一种晶圆级封装芯片

说明书

本实用新型涉及晶圆级封装技术领域，涉及一种晶圆级封装芯片。通过基底进行减薄处理，TSV孔里的金属和硅基底的背金连接在一起，可实现小尺寸超薄芯片的晶圆级封装，同时满足散热要求；缩减接地线路的封装电阻，降低电感效应，提升芯片性能，减少接地焊垫的连线数量，减少贵金属的使用，减小封装面积，有效降低成本；采用在图形化的增粘层上制作种子层和金属背金层，可避免发生鼓泡分层等结合力不足问题，提升可靠性，同时解决了散热问题。

技术领域

本实用新型涉及晶圆级封装技术领域，涉及一种晶圆级封装芯片。

背景技术

现有芯片封装时，芯片背面有塑封料层，不仅不利于芯片散热还会增加封装后的厚度，同时接地焊垫和信号焊垫都是通过打金线(wirebonding)的方法实现电气性能连接，一般接地焊接连线数量多，不仅需要消耗大量的贵金属，而且封装基板上面需要设置较大面积的接地焊垫，增大封装面积，导致成本高。同时背金材料多为为铜，容易发生氧化，对后续加工有时间限制和环境限制，一旦氧化，对产品可靠性有严重影响。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种可实现小尺寸超薄芯片的晶圆级封装减少接地焊垫的连线数量，有效降低成本，提升可靠性的晶圆级封装芯片。

为了解决上述技术问题，本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种晶圆级封装芯片，包括晶圆，所述晶圆包括硅基底以及集成电路，所述集成电路设置在所述硅基底上，所述集成电路包括内部绝缘层、接地焊垫、信号焊垫，所述内部绝缘层设置在所述硅基底上，所述接地焊垫、信号焊垫设置在所述内部绝缘层上，所述硅基底上设置有增粘层，所述晶圆上设置有TSV孔，所述TSV孔底部局部或者全部漏出接地焊垫，所述硅基底背面以及TSV孔内壁上设置有种子层，所述种子层上设置有背金层。

优选的，所述硅基底厚度为50-200μm。

优选的，所述增粘层厚度为0.14-20μm。

优选的，所述增粘层的形状为方形、圆形或不规则多边形。

优选的，所述TSV孔呈梯形结构，其上开口宽度大于下开口宽度，其上开口形状可以为圆形、方形或者多边形。

优选的，增粘层为有机材料或者二氧化硅材料中的任意一种，增粘层形状为方形、圆形或不规则多边形。

本实用新型的有益效果：

通过基底进行减薄处理，TSV孔里的金属和硅基底的背金连接在一起，可实现小尺寸超薄芯片的晶圆级封装，同时满足散热要求；缩减接地线路的封装电阻，降低电感效应，提升芯片性能，减少接地焊垫的连线数量，减少贵金属的使用，减小封装面积，有效降低成本；采用在图形化的增粘层上制作种子层和金属背金层，可避免发生鼓泡分层等结合力不足问题，提升可靠性，同时解决了散热问题。

附图说明

图1-图10是本实用新型的一种晶圆级封装方法流程示意图。

图11是本实用新型的一种晶圆级封装芯片结构示意图。

图中标号说明：101、玻璃；102、晶圆；102-1、硅基底；102-2、内部绝缘层；102-3、接地焊垫；102-4、信号焊垫；103、临时键合材料；104、增粘层；105、TSV孔；106、种子层；107、背金层；111、单颗芯片；

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。

参照图1-图10所示，一种晶圆级封装方法，具体步骤包括：