[实用新型]一种半导体硅材料生长炉的石墨伸缩气管及生长炉有效
| 申请号： | 201922373941.0 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN211734530U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李辉;张熠;郑锴;秦英谡;穆童 | 申请（专利权）人： | 南京晶升能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211113 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 材料 生长 石墨 伸缩 气管 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体硅材料生长炉的石墨伸缩气管，其特征在于，包括顶盖、气管外筒、气管中筒、气管内筒、底托；所述气管内筒收容于气管中筒内，气管中筒收容于气管外筒中，顶盖与气管外筒的上端固定，底托与气管内筒的底端固定；
气管外筒的底部内壁向内凸有第一内台阶；气管中筒的顶部外壁向外凸有第一外台阶，当气管中筒相对气管外筒向下移动时，第一内台阶与第一外台阶相互抵靠；
气管中筒的底部内壁向内凸有第二内台阶；气管内筒的顶部外壁向外凸有第二外台阶，当气管内筒相对气管中筒向下移动时，第二内台阶与第二外台阶相互抵靠。
2.根据权利要求1所述的石墨伸缩气管，其特征在于：所述顶盖上方连接有中空的上罩，所述顶盖具有顶部开口，顶部开口、上罩与气管外筒连通。
3.根据权利要求1或2所述的石墨伸缩气管，其特征在于：所述底托下方连接有中空的坩埚盖，坩埚盖具有底部开口，底部开口、气管内筒与坩埚盖连通。
4.根据权利要求3所述的石墨伸缩气管，其特征在于：所述坩埚盖下方连接有气罩。
5.一种具有如权利要求1至4中任一项所述石墨伸缩气管的生长炉，其特征在于：包括坩埚，所述坩埚位于气罩中并与气罩固定。
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