[实用新型]一种可控硅备选电路

说明书

本实用新型涉及一种可控硅备选电路，属于可控硅技术领域。包括交流电源、直流电源、第一开关、第二开关、第一可控硅与第二可控硅；所述交流电源的与电机连接；所述第一可控硅的T1极分别与交流电源和直流电源连接，所述第一可控硅的T2极与第二可控硅的T1极连接；所述第二可控硅的T2极通过第一开关与电机的另一端耦接；所述第一可控硅的G极与第二可控硅的G极均与信号输入端连接；所述第二开关的一端耦接交流电源，所述第二开关的另一端耦接第一开关与电机的连接点。使用此种可控硅备选电路，可以在可控硅被击穿时，能启动另一可控硅来控制电机功率。

技术领域

本实用新型涉及可控硅技术领域，尤其涉及一种可控硅备选电路。

背景技术

目前，电机可以通过可控硅来调节电机的功率。

而可控硅对过压的承受能力低，导致可控硅容易被击穿。可控硅被击穿后，则电机的功率则不受可控硅控制，导致电机的功率与速度不可调节。

以传送带为例，现有技术中，传送带通过电机来控制传送带的传送速度，若工作人员此时需要调节传送带的速度，以使得传送带上的物品能够处于合理的频率被加工时，由于可控硅被击穿，则导致物品以原有速度进行传输。若传送带原有的速度相较于需要调节的速度较快，则使得被加工的物品累积于传送带上，造成物品的堆积，严重时会使得物品相互碰撞而损坏。

由此可见，在可控硅被击穿后，由于电机转速与功率无法调节，会带来一定的负面影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可控硅备选电路，具有减少在可控硅被击穿后所带来的影响的优点。

本实用新型的上述目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种可控硅备选电路，包括交流电源、直流电源、第一开关、第二开关、第一可控硅与第二可控硅；所述交流电源与电机连接；所述第一可控硅的T1极分别与交流电源和直流电源连接，所述第一可控硅的T2极与第二可控硅的T1极连接；所述第二可控硅的T2极通过第一开关与电机的另一端耦接；所述第一可控硅的G极与第二可控硅的G极均与信号输入端连接；所述第二开关的一端耦接交流电源，所述第二开关的另一端耦接第一开关与电机的连接点。

通过采用上述技术方案，在电机运转过程中，闭合第二开关且断开第一开关时，可以使得电机处于全功率运转状态；闭合第一开关且断开第二开关时，可以使得电机的功率能够被第一可控硅或第二可控硅调节的状态。若此时第一可控硅被击穿，可以向第二可控硅的G极输入信号，使得第二可控硅处于能够调节电机功率的状态；若此时第二可控硅被击穿，可以向第一可控硅的G极输入信号，使得第一可控硅处于能够调节电机功率的状态。从而使得不论第一可控硅或第二可控硅被击穿，都能调节电机的功率与转速，以减少电机转速无法调节所带来的负面影响。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述第一开关上并联有第一电阻。

通过采用上述技术方案，通过第一电阻的设置，使得第一可控硅的T2极与第二可控硅的T2极不论在开关是否闭合时，第一可控硅与第二可控硅的T2极均与交流电源的一端连接，使得在闭合开关时，第一可控硅的T2极与第二可控硅的T2极不会瞬间导通出现电机抖动的情况。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述第一可控硅与第二可控硅的两端并联有第一电容与第二电阻，所述第一电容的一端耦接交流电源，所述第一电容的另一端与第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端耦接第一开关与第二可控硅的T2极的连接点。

通过采用上述技术方案，通过第一电容与第二电阻的设置，可以起到阻尼作用，避免过电压与过电流损坏第一可控硅与第二可控硅。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述第一可控硅的T1极与T2极之间并联有第三电阻。

通过采用上述技术方案，通过第三电阻的设置，可以给第二可控硅的T1极提供一个稳定的电平。