[实用新型]一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构有效
| 申请号： | 201922347563.9 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN210897279U | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 薛梅;王启东;宋阳;王文杰;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/14;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/48;H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q1/52 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 基底 集成 天线 射频 前端 埋入 封装 结构 | ||
1.一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，包括：
金属基底，所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体；
芯片，所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中；
介质层，所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙，并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面；
导电通孔，所述导电通孔贯穿所述介质层，并与所述芯片电连接；
布线层，所述布线层设置在所述介质层的下面，且电连接所述导电通孔；
第二基底，所述第二基底设置在所述金属基底的上方；以及
天线，所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。
2.如权利要求1所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，还包括设置在所述芯片与所述金属基底的所述芯片腔体底面之间的粘接层。
3.如权利要求2所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，所述芯片包括位于芯片背面的芯片背金面，所述粘接层为导电粘接层，实现所述芯片背金面与所述金属基底的电连接。
4.如权利要求1所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，所述导电通孔包括电连接至所述金属基底的接地通孔和电连接至所述芯片焊盘的电源和或信号通孔。
5.如权利要求1所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，所述第二基底为绝缘基底，其材料为有机材料。
6.如权利要求1所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第二基底和所述金属基底之间的第二粘接层。
7.如权利要求1所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，所述布线层通过所述过孔腔体给所述天线馈电。
8.一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，包括：
金属基底，所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体；
芯片，所述芯片有源面朝外埋入在所述芯片腔体中；
介质层，所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙，并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面；
导电通孔，所述导电通孔贯穿所述介质层，并与所述芯片电连接；
布线层，所述布线层设置在所述介质层的下面，且电连接所述导电通孔；
第二介质层，所述第二介质层设置在所述天线腔体内，且与所述金属基底的上表面基本齐平；以及
天线，所述天线设置在所述第二介质层的上方。
9.如权利要求8所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，所述布线层通过所述过孔腔体给所述天线馈电。
10.如权利要求8所述的基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，其特征在于，还包括金属化通孔，所述金属化通孔贯穿所述第二介质层和所述过孔腔体，电连接所述天线至所述布线层，且与所述金属基底电绝缘。
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