[实用新型]一种去除硅粉的装置有效

专利信息
申请号: 201922344075.2 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN211275458U 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 潘连胜;戴志辉;焦洪义;安航;林博洋 申请(专利权)人: 锦州神工半导体股份有限公司
主分类号: B07B1/28 分类号: B07B1/28;B07B1/42;B07B1/46;B08B15/04
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 周婷
地址: 121001 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 去除 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种去除硅粉的装置。包括:机架,其上部设有支撑框,在所述支撑框的前边框和后边框的两端分别设有导槽,在所述支撑框的左边框上设有第一贯通孔;活动框,设置在所述支撑框的内,在所述活动框的前边框和后边框的两端分别设有与所述导槽相匹配的导柱,在所述活动框的左边框设有穿过所述第一贯通孔的拉杆;驱动机构,其与所述拉杆连接,用于带动所述活动框水平左右往复移动;以及筛料筐,其与所述活动框连接,在所述筛料筐一侧设有出料口;接粉盒,其设置在所述筛料筐的下部,用于承接所述筛料筐筛落的硅粉;接料盒,其设置在所述出料口的下方,用于承接自出料口掉落的物料。本实用新型的有益效果是:能够分离多晶硅中混入的硅粉。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅领域,特别涉及一种去除硅粉的装置。

背景技术

目前单晶硅主流生产技术是直拉生长法,又称为切克劳斯基法,它是1918年由切克劳斯基(Czochralski)建立起来的一种晶体生长方法,简称CZ法。CZ法的特点是在一个直筒型的热系统汇总,用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化,然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,同时转动籽晶,再反转坩埚,籽晶缓慢向上提升,经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程,一支硅单晶就生长出来了。其中作为原料的多晶硅在运输、搬运的过程中会产生一定的硅粉,如果在熔化多晶硅时将这一部分硅粉一同加入坩埚中,会使生产出来的单晶硅棒内部产生细小的针孔以及其他缺陷。另一方面,如果硅粉不能被及时清理干净也会对现场生产环境造成污染,并对车间操作人员的身体健康造成威胁。然而目前市面上并没有一种可以除去多晶硅原料中硅粉的设备,针对这一情况,我们自行设计了一台符合生产需要的多晶硅粉净化设备。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种去除硅粉的装置,能够分离多晶硅中混入的硅粉。

为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案,包括:

机架,其上部设有支撑框,在所述支撑框的前边框和后边框的两端分别设有导槽,在所述支撑框的左边框上设有第一贯通孔;

活动框,设置在所述支撑框的内,在所述活动框的前边框和后边框的两端分别设有与所述导槽相匹配的导柱,在所述活动框的左边框设有穿过所述第一贯通孔的拉杆;

驱动机构,其与所述拉杆连接,用于带动所述活动框水平左右往复移动;以及

筛料筐,其与所述活动框连接,在所述筛料筐一侧设有出料口;

接粉盒,其设置在所述筛料筐的下部,用于承接所述筛料筐筛落的硅粉;

接料盒,其设置在所述出料口的下方,用于承接自出料口掉落的物料。

优选的是,所述驱动机构包括:

电机座,其固设在所述机架的中部,用于固定电机;

电机,其设置在所述电机座内,用于输出旋转动力;

凸轮,其与所述电机的输出轴连接,在所述凸轮的突出部设有第一轮齿;

方形框,其与所述拉杆连接,在所述方形框的上边框和下边框的内周分别设有第二轮齿和第三轮齿,所述第一轮齿周期性地分别与第二轮齿和第三轮齿相啮合。

优选的是,还包括:

进料斗,其架设在所述机架上,位于所述筛料筐的上方,用于倾倒待过筛原料。

优选的是,还包括:

第二贯通孔,其设置在所述支撑框的左边框上;

导杆,其设置在所述活动框的右边框,并穿过所述第二贯通孔;

限位套筒,其分别设置在所述第一贯通孔和第二贯通孔处;

滚珠轴承,其设置在所述限位套筒内,分别用于支撑所述拉杆和导杆。

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