[实用新型]一种MEMS压力传感器

权利要求书

1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，所述传感器包括衬底；所述衬底上部凹设有真空腔；所述衬底对应于所述真空腔的上部淀积有压力敏感膜，所述压力敏感膜上淀积有氧化层；所述氧化层与所述压力敏感膜覆盖所述真空腔的槽口；所述氧化层上设有多个经过掺杂处理的压敏电阻和与所述压敏电阻连接的重掺杂硅导线，多个所述压敏电阻电连接形成惠斯通电桥；所述压敏电阻的上部和/或下部沉积有用于隔离所述压敏电阻经过掺杂处理的增稳层，所述增稳层将所述压敏电阻隔离，所述氧化层的上表面对应于设置所述压敏电阻外的其余部分覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有金属导线；所述金属导线穿过所述绝缘介质层并与所述重掺杂硅导线电性连接。

2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述增稳层掺杂处理的类型与所述压敏电阻掺杂处理的类型相反，即当所述压敏电阻为N型掺杂时，所述增稳层的掺杂类型为P型；当所述压敏电阻为P型掺杂时，所述增稳层的掺杂类型为N型。

3.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述压敏电阻掺杂类型为N型或P型。

4.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述增稳层沉积于对应所述压敏电阻的矩形区域。

5.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述增稳层沉积于对应所述压敏电阻的环形区域。

6.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述重掺杂硅导线设置于所述压敏电阻的外侧。

7.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述绝缘介质层上设有接触孔，所述金属导线穿过所述接触孔与所述重掺杂硅导线电连接。

8.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述压力敏感膜上设有释放孔，所述释放孔内填充有氧化层；所述释放孔位于所述压敏电阻的外侧。