[实用新型]一种正装发光二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201922330841.X 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN211125682U 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 陈功;林素慧;许圣贤;何敏游;彭康伟;洪灵愿 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/62
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 芯片
【说明书】:

实用新型提供了一种正装发光二极管芯片,包括第二导电类型半导体层、发光层、第一导电类型半导体层和透明导电层,透明导电层开设第一开口,第一开口内设置至少一个第一电流阻挡层,第一电流阻挡层完全容纳在第一开口内;第一电流阻挡层与透明导电层之间未相互重叠且具有一定宽度的第一间隙;第一电流阻挡层上设置第一电极焊盘,第一电极焊盘具有第一表面完全覆盖第一电流阻挡层并且覆盖第一间隙以接触第一导电类型半导体层;当第一电流阻挡层为多个时,第一电流阻挡层之间留有第二间隙;本实用新型第一电流阻挡层完全内缩至第一电极焊盘下方,且第一电极焊盘与透明导电层无接触,提高了该芯片的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体相关技术领域,尤其涉及一种正装发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管芯片具有寿命长、功耗低的优点,随着技术的日渐成熟,发光二极管芯片在很多领域均得到广泛的应用。现有的发光二极管芯片一般包含一基板、第一导电类型半导体层、活性层及第二导电类型半导体层、以及分别形成于第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层上的第一电极和第二电极,透明导电层覆盖在第一导电类型半导体层上。目前常见的正装发光二极管芯片的第一电极包括第一电极焊盘和第一电极扩展条两部分,第一电极焊盘的下表面至少边缘接触透明导电层,同时第一电极焊盘下表面的透明导电层的下方具有电流阻挡层,电流阻挡层通常会超出第一电极焊盘下表面接触的透明导电层的覆盖面积,以阻挡第一电极焊盘的下表面边缘与第一导电类型半导体层之间的具有竖直方向的电流传输。

但是现有的这种正装发光二极管芯片结构容易导致一些问题,例如,第一电极焊盘在透明导电层上和电流阻挡层上的粘附力均低,在后续封装过程中,容易出现打线不稳或电极容易受到外力发生脱落的风险。另外,如果电流阻挡层超出第一电极焊盘的覆盖区域,对第一电极焊盘的表面覆盖的保护层进行开口制作时,所用到的蚀刻溶液会容易通过第一电极焊盘的周围渗透透明导电层至电流阻挡层,并导致电流阻挡层被蚀刻破坏,芯片的可靠性降低。

实用新型内容

鉴于以上现有技术的缺点,本实用新型提供了一种改进型的正装发光二极管芯片:包括半导体发光序列堆叠层,半导体发光序列堆叠层包括第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层,透明导电层覆盖在第一导电类型半导体层的表面;透明导电层开设第一开口,第一开口内设置有至少一个第一电流阻挡层,第一电流阻挡层覆盖在第一开口所暴露的第一导电类型半导体层上,且第一电流阻挡层完全容纳在第一开口内;第一电流阻挡层与透明导电层之间未相互重叠,且具有一定宽度的第一间隙;第一电流阻挡层上设置有第一电极焊盘,第一电极焊盘具有第一表面完全覆盖第一电流阻挡层并且覆盖第一电流阻挡层周围的第一间隙以接触第一导电类型半导体层。

可选地,该正装发光二极管芯片还设置有保护层,保护层覆盖至少部分第一电极焊盘、透明导电层、第一间隙和半导体发光序列堆叠层。

可选地,第一电极焊盘的直径小于或等于第一开口的直径。

可选地,第一电流阻挡层为一块状或多个块状。

可选地,当第一电流阻挡层为一块状时,块状包括环形镂空的块状或实心的块状。

可选地,实心的块状包括月牙形、扇形、圆形、水滴形或多边形。

可选地,当第一电流阻挡层为多个块状时,第一电流阻挡层为多个弧形、扇形、圆形或多边型的块状。

可选地,当第一电流阻挡层为多个块状时,相邻的第一电流阻挡层的块状之间留有第二间隙,第一电极焊盘填充第二间隙并通过第二间隙直接接触第一导电类型半导体层。

可选地,第一电极焊盘的边缘还连接有至少一个第一电极扩展条。

可选地,第一电极扩展条与第一电极焊盘连接并延伸至透明导电层的上方,且与透明导电层接触。

可选地,第一电极扩展条下方的透明导电层的下方设置有至少一个第二电流阻挡层。

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