[实用新型]硅铸锭装置

说明书

本实用新型提供了一种硅铸锭装置，其包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板，所述盖板的下表面安装有一导流件，所述导流件呈倒置的漏斗状。与现有技术相比，本实用新型通过在盖板下方设置导流件，以在气体回流路径中增加阻挡，使得腔体内气流变成三个涡旋，以此改善进气路径，将腔体气流划分为三部分，改善腔体内涡旋分布，有利于将氧元素顺利排出腔体。

技术领域

本实用新型涉及光伏制造领域，尤其涉及一种硅铸锭装置。

背景技术

类单晶生产过程中氧含量的控制非常关键，氧元素主要来自于坩埚，坩埚内氧元素进入硅溶液，挥发出来进入盖板与硅液表面形成的腔体，腔体内有氩气形成气路，氧元素会随着气体在盖板与熔体表面及护板或坩埚形成的腔体内流动，如果气路不合理，气体不能很顺畅的流出腔体，而反流回腔体，造成气体携带氧元素再次与熔体表面接触，造成氧元素浸入到熔液内，造成氧含量的增加，而现有的铸锭装置中的气路是大多都存在较大的回流，这必然会造成较大的氧含量回流。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供一种硅铸锭装置，以改善现有技术中气路不够优化、氧元素回流较大的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅铸锭装置，其包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板，所述盖板的下表面安装有一导流件，所述导流件呈倒置的漏斗状。

进一步地，所述导流件设有顶部气口、底部气口以及连接顶部气口和底部气口的环壁。

进一步地，所述盖板的中心位置开设有一通气孔，所述通气孔与所述顶部气口、底部气口在竖直方向上位置对应。

进一步地，所述顶部气口和底部气口均呈圆形，且顶部气口的直径小于底部气口的直径，且顶部气口与底部气口的距离为50mm-100mm。

进一步地，所述导流件通过连接件与所述盖板相连，所述连接件采用高度为20-50mm的石墨吊杆。

进一步地，所述顶部气口的直径与所述通气孔的直径相同，且为80-120mm；所述底部气口的直径为200-300mm。

进一步地，所述顶部气口、底部气口及通气孔的中心在竖直方向上均位于同一条直线上。

与现有技术相比，本实用新型通过在盖板下方设置导流件，以在气体回流路径中增加阻挡，使得腔体内气流变成三个涡旋，以此改善进气路径，将腔体气流划分为三部分，改善腔体内涡旋分布，有利于将氧元素顺利排出腔体。

附图说明

图1为本实用新型所述硅铸锭装置的盖板的剖面视图。

图2为本实用新型所述硅铸锭装置的盖板的导流件的结构示意图。

图3为本实用新型所述硅铸锭装置内的气路流向示意图。

具体实施方式

请参阅图1至图3所示，本实用新型提供一种硅铸锭装置，包括坩埚10、遮盖于所述坩埚10上方的盖板20以及安装于所述盖板20下表面的导流件30，所述坩埚10与所述盖板20形成一腔体40，所述坩埚10内用于盛放硅料，并通过加热的方式使硅料变成熔融状态。