[实用新型]瞬变电压抑制二极管

说明书

本实用新型实施例公开了一种瞬变电压抑制二极管。该瞬变电压抑制二极管包括：衬底，所述衬底的一侧包括第一离子掺杂区，所述第一离子掺杂区通过对所述衬底一侧的平面进行掺杂形成；所述第一离子掺杂区与所述衬底的接触面的面积大于所述第一离子掺杂区在所述衬底上的垂直投影的面积；第一金属电极，位于所述第一离子掺杂区远离所述衬底的一侧；第二金属电极，位于所述衬底远离所述第一离子掺杂区的一侧。与现有技术相比，本实用新型实施例在确保瞬变电压抑制二极管体积不变的基础上，增大了瞬变电压抑制二极管的浪涌能力，且可以采用简单的工艺步骤制作完成，从而有利于降低瞬变电压抑制二极管的制作成本。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种瞬变电压抑制二极管。

背景技术

瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor，TVS)又称作瞬态二极管或瞬态电压抑制二极管，是一种二极管形式的高效能保护器件，通常作为浪涌防护器件使用。TVS是一种电压嵌位型保护器件，当其两端的电压超过反向击穿电压时，TVS迅速由高阻态变为低阻态，将电压稳定在嵌位电压，从而保护了与其并联的其他电子器件。

在现有技术中，为了提升TVS的浪涌能力，通常需要增大TVS的体积，从而增大PN结的面积，提升TVS的浪涌能力。然而，这种提升浪涌能力的方法需要增大TVS的体积，不利于TVS的小型化，无法应用于具有高密度电子元器件的电路板上，限制了TVS的应用范围。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种瞬变电压抑制二极管，以在提升瞬变电压抑制二极管的浪涌能力的同时，确保TVS的小型化。

本实用新型实施例提供了一种瞬变电压抑制二极管，包括：

衬底，所述衬底的一侧包括第一离子掺杂区，所述第一离子掺杂区通过对所述衬底一侧的平面进行掺杂形成；所述第一离子掺杂区与所述衬底的接触面的面积大于所述第一离子掺杂区在所述衬底上的垂直投影的面积；

第一金属电极，位于所述第一离子掺杂区远离所述衬底的一侧；

第二金属电极，位于所述衬底远离所述第一离子掺杂区的一侧。

可选地，所述衬底靠近所述第一离子掺杂区的表面包括凹槽；所述第一离子掺杂区靠近所述衬底的一侧对应所述凹槽的位置包括凸起。

可选地，所述凸起的形状包括：凸条状、凸点状或者凸环状。

可选地，所述凸起的数量为多个。

可选地，位于所述凹槽内的所述第一离子掺杂区的浓度和所述凹槽外的所述第一离子掺杂区的浓度相等。

可选地，所述瞬变电压抑制二极管为单向瞬变电压抑制二极管；

所述衬底远离所述第一离子掺杂区的一侧还包括：第二离子掺杂区，所述第二离子掺杂区位于所述衬底和所述第二金属电极之间；且所述第二离子掺杂区掺杂的离子类型与所述第一离子掺杂区掺杂的离子类型不同。

可选地，所述瞬变电压抑制二极管为台面结构。

可选地，所述瞬变电压抑制二极管为平面结构。

可选地，所述瞬变电压抑制二极管为双向瞬变电压抑制二极管；

所述衬底远离所述第一离子掺杂区的一侧还包括：第三离子掺杂区，所述第三离子掺杂区位于所述衬底和所述第二金属电极之间；所述第三离子掺杂区掺杂的离子类型和所述第一离子掺杂区掺杂的离子类型相同。

可选地，所述瞬变电压抑制二极管为台面结构。

可选地，所述瞬变电压抑制二极管为平面结构。

可选地，所述衬底为N型衬底，所述第一离子掺杂区为P型掺杂区；或者，