[实用新型]晶闸管

说明书

本公开的实施例涉及晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断，该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。

技术领域

本公开涉及半导体功率组件，并且更具体地涉及垂直晶闸管。

背景技术

各种晶闸管结构在本领域中是已知的。

然而，需要一种能够克服已知结构的全部或部分缺点的晶闸管结构。

实用新型内容

本申请人已经发现在传统晶闸管中，金属化的某些热点区仍然位于导线到金属化的焊接区之外，进而导致在散热和导通速度方面限制了晶闸管的性能。

为了克服上述问题，本实用新型因此提供了一种晶闸管

在一个方面中，提供了一种晶闸管，其特征在于，包括：交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠；其中第四半导体区域被第三半导体区域的一部分中断，第三半导体区域的一部分形成晶闸管的栅极区；以及其中第四半导体区域被第三半导体区域的另外部分中断，第三半导体区域的另外部分形成连续通道，连续通道从形成栅极区的第三半导体区域的一部分朝向第四半导体区域的横向边缘纵向延伸。

在一些实施例中，该连续通道沿着如下长度纵向地延伸：长度大于或等于从形成栅极区的第三半导体区域的一部分到第四半导体区域的横向边缘的距离的一半。

在一些实施例中，该连续通道从形成栅极区的第三半导体区域的一部分一直纵向延伸到第四半导体区域的横向边缘。

在一些实施例中，该连续通道沿着连续通道纵向延伸的方向具有基本上恒定的横向宽度。

在一些实施例中，该连续通道具有从形成栅极区的第三半导体区域的一部分开始沿着通道纵向延伸的方向减小的横向宽度。

在一些实施例中，该晶闸管还包括第一主导电金属化，第一主导电金属化与第四半导体区域的、与第三半导体区域相对的表面接触。

在一些实施例中，该第一主导电金属化覆盖连续通道，并且晶闸管还包括绝缘层，其中绝缘层的一部分被布置在第一主导电金属化与连续通道的上表面之间，绝缘层沿着连续通道的整个长度延伸。

在一些实施例中，该第一主导电金属化沿着连续通道的整个长度与连续通道相对地被中断。

在一些实施例中，该第四半导体区域被第三半导体区域的附加部分中断，第三半导体区域的附加部分形成发射极短路区，在发射极短路区，第三半导体区域的上表面与第一主导电金属化接触。

在一些实施例中，该晶闸管还包括栅极金属化，栅极金属化与形成栅极区的第三半导体区域的一部分的上表面接触。

在一些实施例中，该晶闸管还包括第二主导电金属化，第二主导电金属化与第一半导体区域的、与第二半导体区域相对的表面接触。

在一些实施例中，该第四半导体区域进一步被第三半导体区域的附加部分中断，第三半导体区域的附加部分形成另外的连续通道，另外的连续通道从形成栅极区的一部分朝向第四半导体区域的相对的横向边缘纵向延伸。

在一些实施例中，形成栅极区的第三半导体区域的一部分被第四半导体区域、连续通道以及另外的连续通道横向地包围；以及其中连续通道和另外的连续通道均相应地从形成栅极区的第三半导体区域的一部分一直延伸到第四半导体区域的横向边缘、以及第四半导体区域的相对的横向边缘，使得第四半导体区域被划分为至少两个分开的部分。