[实用新型]一种高压降压型开关电源系统有效
| 申请号: | 201922295909.5 | 申请日: | 2019-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN210985942U | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 王勇;夏雪;孙云朋;崔鹏 | 申请(专利权)人: | 西安航天民芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
| 代理公司: | 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 | 代理人: | 刘伟 |
| 地址: | 710000 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高压 降压 开关电源 系统 | ||
1.一种高压降压型开关电源系统,包括误差放大器、PWM比较器、控制逻辑电路、电平转换电路、上管驱动电路、下管驱动电路、高端功率晶体管HS、低端续流晶体管LS、电感L、第一电阻R1、第二电阻R2和电容Cout,其特征在于,所述误差放大器的正向输入端与输入信号Vref相连,误差放大器的反向输入端与所述第一电阻R1的一端、所述第二电阻R2的一端相连,误差放大器的输出端与所述PWM比较器的反向输入端相连,PWM比较器的正向输入端与输入信号Vcs相连,所述PWM比较器的输出端与所述控制逻辑电路的输入端相连,控制逻辑电路的输出端与所述电平转换电路的输入端和所述下管驱动电路的输入端相连,所述电平转换电路的输出端与上管驱动电路的输入端相连,所述上管驱动电路的输出端与高端功率晶体管HS的栅极相连,所述下管驱动电路的输出端与低端续流晶体管LS的栅极相连,电平转换电路的SW端、上管驱动电路的SW端、高端功率晶体管HS的源极和低端续流晶体管LS的漏极均与电感L的一端相连,电感L的另一端、第一电阻R1的另一端、电容Cout的一端与输出信号Vout相连,高端功率晶体管HS的漏极与电源VIN相连,电平转换电路与内部电源VDD相连,电平转换电路、上管驱动电路与高电平电源BST相连,电平转换电路的GND端、低端续流晶体管LS的源极、第二电阻R2的另一端以及电容Cout的另一端与地相连。
2.根据权利要求1所述的一种高压降压型开关电源系统,其特征在于,所述电平转换电路包括第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3、第四P型MOS管MP4、第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4、电阻R、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4;第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、电阻R的一端、第二反相器INV2的电源V端、第三反相器INV3的电源V端、第四反相器INV4的电源V端与高电平电源BST连接,第一反相器INV1的电源V端与低电平电源VDD连接,第一P型MOS管MP1的栅极、第四P型MOS管MP4的源极、第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的漏极、电阻R的另一端与第二反相器INV2的输入端A连接,第一P型MOS管MP1的漏极、第三P型MOS管MP3的漏极与第一N型MOS管MN1的漏极连接,第二P型MOS管MP2的栅极、第三P型MOS管MP3的源极、第三N型MOS管MN3的漏极与第四N型MOS管MN4的栅极连接,第二P型MOS管MP2的漏极、第四P型MOS管MP4的漏极与第二N型MOS管MN2的漏极连接,第一N型MOS管MN1的栅极与第一反相器INV1的输出端Y连接,第二N型MOS管MN2的栅极、第一反相器INV1的输入端A与输入信号HSLG连接,第二反相器INV2的输出端Y与第三反相器INV3的输入端A连接,第三反相器INV3的输出端Y与第四反相器INV4的输入端A连接,第四反相器INV4的输出端Y与输出信号HSDRV连接,第三P型MOS管MP3的栅极、第四P型MOS管MP4的栅极、第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极、第二反相器INV2的地端G、第三反相器INV3的地端G、第四反相器INV4的地端G与高电平地端SW连接,第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第一反相器INV1的地端G与低电平地端GND连接。
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