[实用新型]一种花篮有效
| 申请号: | 201922285752.8 | 申请日: | 2019-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN210778523U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
| 发明(设计)人: | 刘运宇;邓伟伟;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 花篮 | ||
本实用新型公开了一种花篮,属于电池片制造技术领域。所述花篮包括两个相对设置的底座和设置在两个所述底座之间的支撑杆,硅片插设于所述支撑杆形成的空间内,所述支撑杆设置有三组,分别为设置于所述硅片沿宽度方向两侧的第一支撑杆组和第二支撑杆组,以及设于所述硅片底部的第三支撑杆组,每个支撑杆组均包括至少两个所述支撑杆;所述第一支撑杆组的第一支撑杆和所述第二支撑杆组的第二支撑杆沿所述硅片的高度方向依次交错分布。本实用新型所提供的花篮将支撑杆在底座上的分布设计为非对称的方式,增加高度方向上的限位点,利于实现对硅片稳固的支撑,充分限制硅片的变形与偏移,使得不用扩大硅片的放置间距即可避免粘片现象的发生。
技术领域
本实用新型涉及电池片制造技术领域,尤其涉及一种花篮。
背景技术
随着光伏行业的进步与发展,现阶段主流硅片的尺寸逐渐由156-157mm扩大到160-180mm,尤其以166mm的硅片最为流行,同时硅片厚度也逐渐采用较薄的160μm作为市场主流厚度。大尺寸的硅片虽然能够降低企业成本,提高性价比,但是伴随着硅片向大尺寸和薄片化方向的发展,硅片更容易发生弯曲和变形,使得硅片放置在花篮中进行制绒或清洗时,相邻的两硅片极易发生粘合,造成制绒不均,或者清洗不彻底,最终导致返工;现有技术采用增加花篮中硅片间距的方式解决硅片粘合现象,但这样无疑会减少每个花篮所能承载的硅片的数量,进而降低了产能,增加了成本。
因此,亟待提供一种花篮解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种花篮,能够在不影响产能的情况下,减少花篮中硅片粘合现象的发生。
为实现上述目的,提供以下技术方案:
一种花篮,包括两个相对设置的底座和设置在两个所述底座之间的支撑杆,硅片插设于所述支撑杆形成的空间内,所述支撑杆设置有三组,分别为设置于所述硅片沿宽度方向两侧的第一支撑杆组和第二支撑杆组,以及设于所述硅片底部的第三支撑杆组,每个支撑杆组均包括至少两个所述支撑杆;
所述第一支撑杆组的第一支撑杆和所述第二支撑杆组的第二支撑杆沿所述硅片的高度方向依次交错分布。
作为优选,所述硅片侧边的上部和下部中的其中一处设有所述第一支撑杆,另一处设有所述第二支撑杆。
作为优选,所述第一支撑杆和所述第二支撑杆均设于所述硅片侧边的端部及等分点处,且任意相邻的所述第一支撑杆和所述第二支撑杆之间的高度差相等。
作为优选,所述第三支撑杆组的第三支撑杆与所述硅片侧边下部的支撑杆在所述硅片的宽度方向上间隔分布。
作为优选,所述第三支撑杆支撑于所述硅片底部宽度方向上的端部及等分点处。
作为优选,所述底座的顶部设置至少两个压杆,所述压杆与位于所述硅片侧边上部的支撑杆在所述硅片的宽度方向上间隔分布。
作为优选,所述压杆压设于所述硅片顶部宽度方向上的端部及等分点处。
作为优选,所述压杆与所述第三支撑杆沿所述硅片的宽度方向依次交错分布。
作为优选,每个支撑杆组均包括两个所述支撑杆,两个所述第一支撑杆分别设于所述硅片左侧的下部和左侧的上三分之一处,两个所述第二支撑杆则分别设于所述硅片右侧的下三分之一处和右侧的上部,两个所述第三支撑杆分别支撑于所述硅片底部的右侧和底部的左三分之一处,两个所述压杆分别压设于所述硅片顶部的左侧和顶部的右三分之一处。
作为优选,所述压杆、所述第一支撑杆和所述第二支撑杆上均设置卡槽,所述硅片卡接于所述卡槽内。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





