[实用新型]一种用于引线键合的加热装置有效
申请号: | 201922268263.1 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN211507571U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 万翠凤;孙林华 | 申请(专利权)人: | 江苏爱矽半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/67 |
代理公司: | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人: | 刘娟 |
地址: | 221000 江苏省徐州市徐州经济*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 引线 加热 装置 | ||
本实用新型属于电力电子技术领域,具体涉及一种用于引线键合的加热装置,包括块状的主体,所述主体内设有加热元件,所述主体的顶面设置有若干间距相同的横向定位槽和若干间距相同的纵向定位槽,所述横向定位槽与所述纵向定位槽相互交叉垂直,所述定位槽用于与引线框架下方的定位凸条相适配;所述纵向定位槽和所述横向定位槽将所述主体的顶面划分为若干个单元面,每个所述单元面上设有真空孔,所述主体上设有与所述真空孔连通的真空通道,所述真空通道从上向下贯穿所述主体。本实用新型通过将本加热装置上的定位槽和引线框架上的定位凸起进行定位固定,从而快速而准确的将引线框架固定在本加热装置上。
技术领域
本实用新型属于电力电子技术领域,具体涉及一种用于引线键合的加热装置。
背景技术
半导体封装过程用来提供封装构造以保护半导体芯片,使半导体芯片在通电工作时能够避免发生外力碰撞、灰尘污染、受潮或氧化等问题,从而利用封装构造来提高半导体的使用可靠性并延长半导体的使用寿命。在现有的半导体封装过程中,通常先制得半导体晶片并对其进行测试,接着将通过测试的半导体晶片切割成多个半导体芯片,然后将各半导体芯片固定到引线框架(lead frame)或封装基板上,以执行引线键合(wire bonding)工艺。最后,利用包封材料包覆半导体芯片、焊线以及引线框架或封装基板的部分表面,从而完成半导体封装过程。
现有的引线键合工艺,引线框架下方的加热块上通常都设有真空孔,引线框架通过加热块中的真空孔吸引固定在加热块的平面上,引线框架内的每一个焊接单元均对应一个真空孔,避免在引线键合过程中发生晃动。现有技术中,引线框架固定在加热块上时,通常是人为进行对齐,因此比较麻烦。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型公开了一种用于引线键合的加热装置,通过将本加热装置上的定位槽和引线框架上的定位凸起进行定位固定,从而快速而准确的将引线框架固定在本加热装置上。
本实用新型提供了一种用于引线键合的加热装置,包括块状的主体,所述主体内设有加热元件,所述主体的顶面设置有若干间距相同的横向定位槽和若干间距相同的纵向定位槽,所述横向定位槽与所述纵向定位槽相互交叉垂直,所述定位槽用于与引线框架下方的定位凸条相适配;
所述纵向定位槽和所述横向定位槽将所述主体的顶面划分为若干个单元面,每个所述单元面上设有真空孔,所述主体上设有与所述真空孔连通的真空通道,所述真空通道从上向下贯穿所述主体。
优选地,所述单元面的边缘设有进气孔,所述主体内设有与所述进气孔连通的进气通道。
优选地,所述进气孔包括若干个,若干个所述进气孔均匀的分布于单元面的四周边缘。
优选地,所述进气通道的一端为进气孔,所述进气通道的另一端通过进气管道连接保护气体的气源设备。
优选地,所述横向定位槽的宽度、深度与所述纵向定位槽的宽度、深度相同。
优选地,所述真空孔位于所述单元面中心。
优选地,所述真空孔为圆形或方形或菱形。
优选地,所述真空通道的一端为真空孔,所述真空通道的另一端通过真空管道连接抽真空装置。
优选地,所述主体内设有温度传感器,所述温度传感器和所述加热元件分别与控制设备电连接。
本实用新型的技术方案,通过将本加热装置上的定位槽和引线框架上的定位凸起进行定位固定,从而快速而准确的将引线框架固定在本加热装置上。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中,类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中,各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造