[实用新型]用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构有效

专利信息
申请号: 201922262242.9 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN211339731U 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 胡彭年
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 单晶硅 铸锭 坩埚 装料 结构
【权利要求书】:

1.一种用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于,所述装料结构包括坩埚本体、设置于坩埚本体内的籽晶层、设置于籽晶层上方的硅片保护层、设置于硅片保护层上方且采用直径不大于5mm的小颗粒硅料铺设形成的缓冲层以及设置于缓冲层上方的碎硅料。

2.根据权利要求1所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于,所述硅片保护层中硅片的长宽尺寸与籽晶的长宽尺寸相同,并且所述硅片保护层中的硅片与籽晶上下对齐设置。

3.根据权利要求2所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于,所述硅片保护层中硅片的厚度为2mm至5mm。

4.根据权利要求1所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于:所述缓冲层中的小颗粒硅料均匀铺设,并且铺设厚度为15mm至25mm。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于:所述籽晶层下方也设置有所述硅片保护层和所述缓冲层,所述缓冲层、硅片保护层和籽晶层自下向上依次排列设置。

6.根据权利要求1所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于:所述籽晶层包括若干籽晶组,每一籽晶组包括若干沿第一方向依次排布的籽晶,所述籽晶具有顶面及沿周向首尾依次相接的四个拼接面,所述籽晶组中两个相邻籽晶间的接缝与另一相邻籽晶组中位置相对应的两个相邻籽晶间的接缝呈错位设置。

7.根据权利要求6所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于:所述籽晶组包括在单晶硅棒上沿不同晶面切割得到的第一籽晶、第二籽晶与第三籽晶。

8.根据权利要求7所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于:所述籽晶组中的第一籽晶、第二籽晶、第三籽晶依次顺序排列。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于:所述籽晶组中两个相邻籽晶的接缝与另一相邻籽晶组中相对应的两个相邻籽晶的接缝沿第一方向的错位长度不小于5mm。

10.根据权利要求9所述的用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构,其特征在于:所述籽晶组中边缘籽晶沿第一方向尺寸小于第一籽晶、第二籽晶或第三籽晶尺寸,差值为籽晶排布错位长度。

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