[实用新型]温度补偿带隙基准电路

权利要求书

1.一种温度补偿带隙基准电路，其特征在于，包括：

带隙基准核心电路(100)，用于产生基准电压；

第一温度补偿电路(200)，连接到所述带隙基准核心电路的第一补偿输入端，用于产生分别对应于第一温度范围与第二温度范围的第一补偿电流；

第二温度补偿电路(300)，连接到所述带隙基准核心电路(100)的第二补偿输入端，用于基于来自所述第一温度补偿电路(200)的采样电压产生对应于第三温度范围的第二补偿电流；

其中，所述带隙基准核心电路(100)基于所述第一补偿电流与第二补偿电流而输出可对所述第一、二、第三温度范围内的温度产生的电压飘移进行补偿的所述基准电压。

2.根据权利要求1所述的温度补偿带隙基准电路，其特征在于所述第一温度范围为包括大约-40℃～20℃的低温区，而第二温度范围为包括大约90℃～150℃的高温区，而第三温度范围为包括大约20℃～90℃的正常工作温区。

3.根据权利要求1所述的温度补偿带隙基准电路，其特征在于所述第一温度补偿电路接收参考电流以及与绝对温度成正比的第一电流，以产生用于所述第一温度补偿电路(200)的采样电压；

第二温度补偿电路接收与绝对温度成正比的第二电流与所述采样电压，并在所述采样电压控制下基于所述第二电流产生所述第二补偿电流。

4.根据权利要求3所述的温度补偿带隙基准电路，其特征在于所述带隙基准核心电路(100)生成所述第一电流、第二电流。

5.根据权利要求1-4之一所述的温度补偿带隙基准电路，其特征在于所述带隙基准核心电路(100)包括：

运算放大器，具有通过第一电阻(R1)与电源连接的第一输入端、通过第二电阻(R2)与电源连接的第二输入端及通过串联的第三电阻(R5)与第四电阻(R6)接地的输出端，以输出所述基准电压；

第一三极管(T1)，其集电极连接到所述第一输入端，发射极通过串联的第五电阻(R3)与第六电阻(R4)接地；

第二三极管(T2)，其集电极连接到所述第二输入端，发射极连接到所述第五电阻与第六电阻之间的第一节点，该第一节点为所述带隙基准核心电路(100)的第一补偿输入端；

其中所述第一、二三极管的基极均连接到第三与第四电阻之间的第二节点，该第二节点为所述带隙基准核心电路的第二补偿输入端。

6.根据权利要求3或4所述的温度补偿带隙基准电路，其特征在于所述第一温度补偿电路产生的采样电压包括：利用所述参考电流产生的第一采样电压(V_TKNH)、第二采样电压(V_TKN)、第三采样电压(V_TKPH)、第四采样电压(V_TKP)，其中第一采样电压与第二采样电压相差由第七电阻(R8)确定的电压差，而第三采样电压、第四采样电压相差由第八电阻(R9)确定的电压差；

其中所述第一温度补偿电路基于所述第二、第四采样电压产生所述第一温度补偿电流；

所述第二温度补偿电路基于所述第一、二、三、四采样电压产生所述第二温度补偿电流。

7.根据权利要求6所述的温度补偿带隙基准电路，其特征在于所述第一温度补偿电路包括：

第一MOS管(M1)，第二MOS管(M2)以及第三三极管(T3)，其中

第一MOS管的栅极连接到所述第三三极管的基极与集电极，源极接收所述第一电流，而漏极用于输出所述第一温度补偿电流；

第二MOS管的栅极连接到所述第八电阻(R9)与第九电阻(R7)的一端之间，其中所述第八电阻(R9)的另一端接收所述参考电流，所述第九电阻的另一端接地，所述第三、第四采样电压分别对应于所述第八电阻二端处的电压，第二MOS管的源极与第一MOS管的源极相连，并且漏极接地；

第三三极管的基极与集电极相连并通过所述第七电阻(R8)接收所述参考电流，其中所述第一、第二采样电压分别对应于所述第七电阻的二端处的电压，该第三三极管的发射极接地。