[实用新型]一种用于开关电源防止变压器磁饱和的MOS管驱动电路组件

说明书

本实用新型涉及一种用于开关电源防止变压器磁饱和的MOS管驱动电路组件。一旦出现高频变压器出现过电流，通过此电路便会关断MOS管栅极电压上的驱动信号，以此保证磁饱和不会发生。相比传统方案，在保证MOS上升下降沿陡峭的同时，在占空比异常，输入扰动，等导致的磁饱和，均有很好的防止作用。

技术领域

本实用新型涉及MOS管驱动技术领域，尤其是涉及一种用于开关电源防止变压器磁饱和的MOS管驱动电路组件。

背景技术

开关电源作为现在最常用的电源。在各类电器中均有广泛应用，图1是一种常见的反激式开关电源结构；

由于开关电源输出的不断增加，重量和成本又在不断的减小，所以磁材料通常是工作在临界饱和状态，在突然的浪涌电流下，瞬间的负载加重、或者系统工作于高温下，磁芯就会发生饱和现象，一旦发生磁饱和。轻则使元件过热，重则损坏元器件，在磁饱和时，一次侧电流急剧增大，造成开关晶体管的损坏，因此在开关电源设计时需要考虑磁饱和的防治问题；

开关电源常采用占空比限制的方法，预防磁饱和。但效果不理想，在输入波动时，当电压过高，即使限制了占空比，磁饱和依然会发生；

另一种方式是适当减少一次侧的绕组匝数。此种方式虽然有效，但是会使后级纹波增大；

第三种方式是选择尺寸较大的磁芯，此种方式有效，但相应的体积会增加，不利于小型化集成；

综上所述，现有方案都存在一定缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种用于开关电源防止变压器磁饱和的MOS管驱动电路组件。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种用于开关电源防止变压器磁饱和的MOS管驱动电路组件，该组件包括第一二极管、第二电容、第二电阻、第一电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第三电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，其中，所述第一二极管的正极分别与所述第二电容、第二电阻和第三电阻的一端相连接后并共同与PWM信号相连接，所述第一二极管的负极分别与所述第一三极管的集电极和第一电容的一端相连接，所述第一三极管的基极分别与所述第二电容和第二电阻的另一端、第二三极管的基极、第三三极管的基极以及第四三极管的集电极相连接，所述第一电阻设置于所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极之间，开关电源其余部分中的MOS管的栅极连接于所述第一电阻与所述第二三极管的发射极之间，所述MOS管的源极、第四电阻的一端和第三三极管的集电极均与所述第五电阻的一端相连接，所述第五电阻的另一端分别与所述第一电容的另一端和所述第二三极管的集电极相连接，所述第三电阻的另一端与所述第三三极管的发射极相连接，所述第四电阻的另一端分别与所述第四三极管的基极和第三电容的一端相连接，所述第五电阻的另一端还分别与所述第四三极管的发射极、第三电容的另一端相连接并接地。

进一步地，所述MOS管的漏极还经所述开关电源其余部分中的高频变压器与VSS电压相连接。

进一步地，所述的第一三极管采用NPN型三极管。

进一步地，所述的第二三极管采用PNP型三极管。

进一步地，所述的第三三极管采用PNP型三极管。

进一步地，所述的第四三极管采用PNP型三极管。

进一步地，所述的MOS管采用P沟道增强型MOS管。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

(1)一旦出现高频变压器出现过电流，通过此电路便会关断MOS管栅极电压上的驱动信号，以此保证磁饱和不会发生。