[实用新型]一种太赫兹三推环形振荡器有效

专利信息
申请号: 201922238256.7 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN211018805U 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 白红梅;吴淘锁 申请(专利权)人: 呼伦贝尔学院
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 吴学颖
地址: 021008 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 赫兹 环形 振荡器
【权利要求书】:

1.一种太赫兹三推环形振荡器,其特征在于,包括一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3);所述一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)的源极均接地;所述一号MOS场效应晶体管(M1)的栅极经四号微带传输线(L4)连接至三号MOS场效应晶体管(M3)的漏极,所述二号MOS场效应晶体管(M2)的栅极经五号微带传输线(L5)连接至一号MOS场效应晶体管(M1)的漏极,所述三号MOS场效应晶体管(M3)的栅极经六号微带传输线(L6)连接至二号MOS场效应晶体管(M2)的漏极;

所述一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)的漏极分别经一号微带传输线(L1)、二号微带传输线(L2)、三号微带传输线(L3)连接至公共节点(Q),该公共节点(Q)经输出端电感(Lo)连接至直流电压源(VDD),经输出端电容(Co)连接至输出端点(Out)。

2.根据权利要求1所述的太赫兹三推环形振荡器,其特征在于,所述一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)的栅长均为L=60nm,栅宽均为W=40μm。

3.根据权利要求1所述的太赫兹三推环形振荡器,其特征在于,所述一号微带传输线(L1)、二号微带传输线(L2)、三号微带传输线(L3)的特性阻抗均为50Ω,长度均为26°。

4.根据权利要求1所述的太赫兹三推环形振荡器,其特征在于,所述四号微带传输线(L4)、五号微带传输线(L5)、六号微带传输线(L6)的特性阻抗均为70Ω,长度均为24°。

5.根据权利要求1所述的太赫兹三推环形振荡器,其特征在于,所述输出端电容(Co)的容值取为1nF,所述输出端电感(Lo)的感值取为1nH。

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