[实用新型]一种高压静电防护器件和电路有效
| 申请号: | 201922237365.7 | 申请日: | 2019-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN210926016U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 徐黎;杨佳;王瑶;周子琪;郑达真 | 申请(专利权)人: | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址: | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高压 静电 防护 器件 电路 | ||
1.一种高压静电防护器件,其特征在于:包括P型衬底(6),所述P型衬底上设置有N型隔离层(5),所述N型隔离层(5)上设置有N阱注入区(3)和P阱注入区(4),所述N阱注入区(3)和P阱注入区(4)并排设置,所述N阱注入区(3)顶部中间设置有N+注入区(1),所述P阱注入区(4)顶部中间设置有P+注入区(2),N+注入区(1)用于作为器件的阴极,P+注入区(2)用于作为器件的阳极。
2.根据权利要求1所述的一种高压静电防护器件,其特征在于:所述N+注入区(1)与P+注入区(2)之间的所述N阱注入区(3)和P阱注入区(4)的尺寸与器件耐压值相关。
3.根据权利要求1所述的一种高压静电防护器件,其特征在于:所述N型隔离层(5)被省去。
4.根据权利要求1所述的一种高压静电防护器件,其特征在于:所述N阱注入区(3)和P阱注入区(4)的数量为多个,所述N阱注入区(3)和P阱注入区(4)依次循环排列,相邻的所述N阱注入区(3)之间设置有P阱注入区(4),相邻的所述P阱注入区(4)之间设置有N阱注入区(3)。
5.根据权利要求1所述的一种高压静电防护器件,其特征在于:所述器件表面覆盖有场氧化层,所述场氧化层上设置导电层,所述导电层分别与N+注入区(1)、P+注入区(2)连接。
6.根据权利要求5所述的一种高压静电防护器件,其特征在于:所述导电层为金属层。
7.一种高压静电防护电路,其特征在于:所述电路包含有高压静电防护器件,所述高压静电防护器件为权利要求1到6任意一项所述的高压静电防护器件,所述电路包含正电位点或者负电位点,所述高压静电防护器件的阳极、阴极分别与电路电源负极、正电位点连接或者所述高压静电防护器件的阳极、阴极分别与负电位点、电路电源正极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福芯电子科技有限公司,未经福建省福芯电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922237365.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种面板驱动电路
- 下一篇:一种可调发光区域的LED壁灯
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





