[实用新型]显示基板和显示装置有效
申请号: | 201922237251.2 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN210607259U | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 许晨;郝学光;乔勇;吴新银 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本实用新型提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括包括在基底上叠设的第一金属层、第一绝缘层、金属氧化物层、第二绝缘层和第二金属层;金属氧化物层包括第一图形、第二图形和电容图形,第一金属层包括第一极板,第一极板与所述电容图形至少存在第一交叠区域,以形成第一存储电容,第二金属层包括第二极板,所述第二极板与电容图形至少存在第二交叠区域,以形成第二存储电容,第一极板和第二极板的电位相同。本实用新型通过金属氧化物层与第一极板和第二极板分别形成并联的第一存储电容和第二存储电容,有效增大了存储电容的容量,在保证显示品质的前提下,有效增大存储电容容量,有利于实现高分辨率显示。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有超薄、大视角、主动发光、高亮度、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、低功耗、工作温度范围宽及可柔性显示等优点,已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。依据驱动方式的不同,OLED可分为无源矩阵驱动(Passive Matrix,PM)型和有源矩阵驱动(Active Matrix,AM)型两种,其中AMOLED是电流驱动器件,采用独立的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)控制每个子像素,每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。
对于AMOLED,从一帧的数据写入到下一帧的数据写入,驱动晶体管的栅电极电压由存储电容来维持。由于晶体管存在漏电流,存储电容所存储的电压会逐渐减小,造成晶体管的栅电极电位改变,进而影响到流过有机电致发光二极管的电流,影响子像素的发光亮度。为此,通常将存储电容的容量设计得足够大来增加电压的持续时间。
但随着高分辨率(PPI)显示技术的发展,像素尺寸越来越小,布图空间缩小导致设置存储电容的空间更为紧张,严重限制了存储电容容量的增加。虽然相关技术提出了一些解决方案,但这些解决方案均存在降低显示品质的缺陷。
实用新型内容
本实用新型实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板和显示装置,在保证显示品质的前提下有效增大存储电容容量。
为了解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种显示基板,包括基底以及在所述基底上设置的多个对应不同颜色的子像素,所述每个子像素包括像素驱动电路和电连接所述像素驱动电路的有机电致发光二极管;
所述像素驱动电路包括第一晶体管,第二晶体管和存储电容,所述第一晶体管的栅电极耦接于第一扫描线,所述第一晶体管的第一极耦接于数据线,所述第一晶体管的第二极耦接于所述第二晶体管的栅电极;所述第二晶体管的第一极耦接于第一电源电压线,所述第二晶体管的第二极耦接于所述有机电致发光二极管的第一极,所述有机电致发光二极管的第二极耦接于第二电源电压线;所述存储电容的第一极与所述第二晶体管的栅电极耦接,所述存储电容的第二极与所述第二晶体管的第二极耦接,所述存储电容用于存储所述第二晶体管的栅电极的电位;
在垂直于所述基底的方向上,所述显示基板包括叠设的第一金属层、第一绝缘层、金属氧化物层、第二绝缘层和第二金属层;
所述金属氧化物层包括第一图形、第二图形和电容图形,所述第一图形作为所述第一晶体管的有源层,所述第二图形作为所述第二晶体管的有源层,所述电容图形作为所述存储电容的第一极;
所述第一金属层包括第一极板,所述第一极板在基底上的正投影与所述电容图形在基底上的正投影至少存在第一交叠区域,以形成第一存储电容;
所述第二金属层包括第二极板,所述第二极板在基底上的正投影与所述电容图形在基底上的正投影至少存在第二交叠区域,以形成第二存储电容;
所述第一极板和第二极板的电位相同。
可选地,所述第二图形在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影存在交叠区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的