[实用新型]一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路有效

专利信息
申请号: 201922219402.1 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN210898531U 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 王兴乐;何颖儿;王顺安;王深彪;王兴安 申请(专利权)人: 深圳市硕凯电子股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H5/04;H02H9/02
代理公司: 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 代理人: 莫杰华
地址: 518000 广东省深圳市龙华区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 低残压 led 驱动 4000 浪涌 分段 吸收 保护 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其包括AC接入端L‑N端,从该L‑N端至负载之间依次电连接有第一级保护电路、第二级保护电路和第三级保护电路;第一级保护电路包括压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT,压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT串联后并联于L端与N端之间;第二级保护电路包括压敏电阻MOV2,并联于L端与N端之间;第三级保护电路包括瞬态抑制二极管TVS,并联于L端与N端之间;第一级保护电路与第二级保护电路之间、第二级保护电路与第三级保护电路之间分别并联有串接的共模电感和差模电感。本实用新型应用于AC120V电源端口差模保护,主要保护后端器件不受浪涌冲击的影响,可承受标称4KV的1.2/50‑8/20uS组合波。

技术领域

本实用新型涉及浪涌保护技术领域,特别是一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路。

背景技术

现在行业上使用的AC120V电源端口雷击防护方案,大部分采用的是并联压敏电阻进行一级浪涌防护,运用此方案的残压普遍较高,容易损坏LED驱动的MOS管,现市面上AC120V驱动电源MOS的耐压普遍为600V,一级防护方案的残压高,常常出现防护器件没有损坏而后端MOS损坏的情况,起不到很好的防护效果。

此外,现在行业上一般是将保险丝串联在输入口,需要选用大电流的熔断保险丝,当后端负载器件出现异常时,可能会出现保险丝不动作的情况。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路。

为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其包括AC接入端L-N端,从该L-N端至负载之间依次电连接有第一级保护电路、第二级保护电路和第三级保护电路;第一级保护电路包括压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT,压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT串联后并联于L端与N端之间;第二级保护电路包括压敏电阻MOV2,并联于L端与N端之间;第三级保护电路包括瞬态抑制二极管TVS,并联于L端与N端之间;第一级保护电路与第二级保护电路之间并联有串接的共模电感L1和差模电感L2;第二级保护电路与第三级保护电路之间并联有串接的共模电感L3和差模电感L4。

上述技术方案中,所述压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT还串联有保险丝F1。所述保险丝F1的规格为5A。

上述技术方案中,所述差模电感L2与压敏电阻MOV2之间串联有保险丝F2。所述保险丝F2的规格为3.15A。

上述技术方案中,所述压敏电阻MOV2后级并联有安规电容C1。所述安规电容C1的电容值为0.47uF。

上述技术方案中,所述瞬态抑制二极管TVS后级并联有安规电容C2。所述安规电容C2的电容值为0.47uF。

上述技术方案中,所述压敏电阻MOV1的规格为10D331KJ;所述陶瓷气体放电管GDT的规格为SC2E5-350LL;所述共模电感L1的电感量为2mH,差模电感L2、L4的电感量为100uH;所述压敏电阻MOV2的规格为10D271K;所述共模电感L3的电感量为1mH;所述瞬态抑制二极管TVS的规格为SMDJ250CA。

本实用新型的有益效果是:本实用新型采用的是三级浪涌吸收防护方案,采用逐级分段吸收的方式,能够把残压抑制到最低水平,同时在第一级防护中串联了一个5A的温度保险丝,当压敏电阻逐渐劣化后,漏电流会逐渐增大,器件本体会发热,此时温度保险丝会熔断。为了提高第一级压敏的使用寿命,串联了SC2E5-350LL的陶瓷气体放电管,能够抑制压敏电阻的漏电流,延长压敏的使用寿命。此方案将熔断保险丝放在第一级防护方案后面,可以选用较小电流的保险丝,当后端产品出现异常时,保险丝能及时的熔断,保护整个电路的安全。

附图说明

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