[实用新型]一种倒装芯片

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种倒装芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。本实用新型还公开了一种倒装芯片的制作方法。本实用新型提供的倒装芯片解决了现有技术中的电流分布不均和金属层吸光的难题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种倒装芯片。

背景技术

因P-GaN迁移率较低，ITO薄膜加厚会吸光等诸多因素影响，在倒装芯片结构上需要采用金属扩展条设计，如图1所示，改善电流分布不均的问题，但金属扩展条同样存在吸光的问题，不利于外量子效率的提升。因此，本领域技术人员面临着如何解决现有技术中存在的电流分布不均和金属层吸光的难题。

发明内容

本实用新型提供了一种倒装芯片及倒装芯片的制作方法，解决相关技术中存在的电流分布不均和金属层吸光问题。

作为本实用新型的第一个方面，提供一种倒装芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。

进一步地，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置多个第一通孔，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层通过多个第一通孔连接。

进一步地，所述第一通孔内均设置所述互联电极层。

进一步地，所述焊盘电极层与所述互联电极层之间设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置多个第二通孔，所述焊盘电极层与所述互联电极层通过多个所述第二通孔连接。

进一步地，所述第二通孔内均设置所述焊盘电极层。

进一步地，所述焊盘电极层包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均通过所述第二通孔与互联电极层连接。

进一步地，所述倒装芯片包括N型倒装芯片和P型倒装芯片，当所述倒装芯片为N型倒装芯片时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；当所述倒装芯片为P型倒装芯片时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

进一步地，所述衬底包括蓝宝石衬底。

作为本实用新型的另一个方面，提供一种倒装芯片的制作方法，其中，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次生长第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；

对所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀以暴露所述第一导电类型氮化镓层；

在所述第二导电类型氮化镓层上制作反射层；

在所述反射层上制作第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制作互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接；

在所述互联电极层上制作第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上制作焊盘电极层，且所述焊盘电极层与所述互联电极层连接。

进一步地，所述互联电极层包括依次设置的Cr、Al、Ti、Pt、Au和Pt，所述焊盘电极层包括依次设置的Cr、Al、Ti、Pt、Ni和Au。

通过上述倒装芯片，设置互联电极层和焊盘电极层，通过这种双导电金属层方案，可以同时解决电流分布不均和金属层吸光的难题。

附图说明