[实用新型]碳化硅外延生长用石墨盘基座有效
| 申请号： | 201922201374.0 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN211005719U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;左万胜;郗修臻;张晓洪;刘锦锦;刘洋;史田超;章学磊 | 申请（专利权）人： | 启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/18 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 生长 石墨 基座 | ||
1.碳化硅外延生长用石墨盘基座，包括基座本体和用于生长外延片的口袋，基座本体的顶面包括第一上表面，基座本体的底面包括第一下表面，口袋设置于第一上表面上，其特征在于：所述第一上表面和所述第一下表面均为圆锥面，第一上表面和第一下表面的锥度大小相同且第一上表面的母线与第一下表面的母线相平行。
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长用石墨盘基座，其特征在于：所述第一上表面的大径端与所述基座本体的外壁面的上端相连接，所述第一下表面的大径端与所述基座本体的外壁面的下端相连接，基座本体的外壁面为圆柱面。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延生长用石墨盘基座，其特征在于：所述第一上表面的锥度为1～2℃。
4.根据权利要求3所述的碳化硅外延生长用石墨盘基座，其特征在于：所述第一上表面的锥度为1.5℃。
5.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延生长用石墨盘基座，其特征在于：所述口袋的数量不少于2个。
6.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延生长用石墨盘基座，其特征在于：所述口袋的直径不小于80mm。
7.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延生长用石墨盘基座，其特征在于：所述口袋底部凹大于或等于10μm且小于或等于50μm。
8.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延生长用石墨盘基座，其特征在于：所述口袋的深度大于或等于100μm且小于或等于1000μm。
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