[实用新型]IGZO薄膜晶体管

说明书

本申请属于半导体器件技术领域，提供了IGZO薄膜晶体管，通过若干IGZO纳米线形成沟道层，并使得若干IGZO纳米线与经过源极和漏极之间的直线平行，从而使得电子可以直接从源极沿着IGZO纳米线传输到漏极，极大提高了IGZO薄膜晶体管的电迁移率，解决了目前制备的非晶IGZO TFT，存在的稳定性和可靠性都比较差的问题。

技术领域

本申请属于半导体器件技术领域，尤其涉及IGZO薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是快速发展的微电子器件领域的基本构建模块。目前商用主流的TFT包括低温多晶硅TFT、非晶硅TFT和非晶IGZO TFT。非晶IGZO TFT相比低温多晶硅TFT和非晶硅TFT，具有更高电迁移率、高光透过率、低漏电流，低沉积温度、低制造成本等优点而受到广泛关注。

然而，目前制备的非晶IGZO TFT，存在稳定性和可靠性都比较差的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种IGZO薄膜晶体管及其制备方法，旨在解决目前制备的非晶IGZO TFT，存在稳定性和可靠性都比较差的问题。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种IGZO薄膜晶体管，包括衬底、栅电极层、介电层、沟道层、源极以及漏极；所述栅电极层设于所述衬底上，所述介电层设于所述栅电极层表面，所述沟道层设于所述介电层表面；其中，所述沟道层包括若干IGZO纳米线，所述源极和所述漏极互不接触地分别设于所述沟道层的上表面的相对两侧，所述若干IGZO纳米线与经过所述源极和所述漏极之间的直线平行。

可选的，所述源极和所述漏极为长条状。

可选的，所述源极和所述漏极平行设置，所述IGZO纳米线垂直于所述漏极和所述源极。

可选的，所述若干IGZO纳米线层叠设置，所述若干IGZO纳米线层叠设置，所述沟道层的厚度为20-100nm。

可选的，所述沟道层与所述介电层之间还设有一层IGZO薄膜。

可选的，所述介电层为氧化铝。

可选的，所述介电层的厚度为20-50nm。

可选的，所述IGZO薄膜的厚度小于所述沟道层的厚度。

可选的，所述IGZO薄膜的厚度位5-10nm。

可选的，所述源极和所述漏极为ITO薄膜。

本申请实施例提供的IGZO薄膜晶体管中，通过若干IGZO纳米线形成沟道层，并使得若干IGZO纳米线与经过源极和漏极之间的直线平行，从而使得电子可以直接从源极沿着IGZO纳米线传输到漏极，极大提高了IGZO薄膜晶体管的电迁移率，解决了目前制备的非晶IGZO TFT，存在的稳定性和可靠性都比较差的问题。

附图说明

图1为本申请的一个实施例提供的IGZO薄膜晶体管的结构示意图；

图2为本申请的一个实施例提供的IGZO薄膜晶体管的俯视示意图；

图3为本申请的另一个实施例提供的IGZO薄膜晶体管的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。