[实用新型]坩埚盖板及采用该坩埚盖板的铸锭炉有效

专利信息
申请号: 201922194118.3 申请日: 2019-12-09
公开(公告)号: CN211057275U 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 胡彭年
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 坩埚 盖板 采用 铸锭
【说明书】:

本申请提供一种坩埚盖板及采用该坩埚盖板的铸锭炉,所述坩埚盖板具有顶面、底面及侧面,所述顶面与底面之间设置有的进气口,所述底面凹陷形成有若干导气槽,所述导气槽的一端在所述侧面上形成相应的排气口。通过坩埚盖板结构的优化设计,利于坩埚内部气流自排气口顺利排出,减少气体回流,降低硅锭中的杂质含量。

技术领域

本申请涉及晶体硅铸锭设备领域,特别涉及一种坩埚盖板及采用该坩埚盖板的铸锭炉。

背景技术

坩埚铸锭是晶体硅制造的重要方法,高温条件下,加热器、石墨护板、坩埚及坩埚涂层均会引入大量的碳、氧等杂质。晶体生长过程中,氧浓度过高容易形成复合中心或其它缺陷,导致硅锭的少数载流子寿命降低,直接影响后续电池片的转换效率。因此,现有晶体硅铸锭过程中会通过坩埚盖板上的进气口导入惰性气体,通常采用氩气,将熔融硅料上方含有O2、CO等杂质气体及时排除,降低晶体硅锭中的氧含量。

就类单晶铸锭工艺而言,氧含量的降低更是非常关键的一项技术要求。氧元素通常随坩埚上方的气流被硅料吸收,业内也就坩埚盖板的结构进行了相关设计优化,如通过安装在盖板下方的楔形导气装置,消除涡流通路,降低晶体硅锭中的碳、氧含量。但上述楔形导气装置可能影响坩埚的装料,业内现仍亟需提供一种结构更为简洁且成本低廉的坩埚盖板,以提高铸锭质量。

实用新型内容

本申请目的在于提供一种坩埚盖板及采用该坩埚盖板的铸锭炉,结构简洁,能够减少气体回流,以将坩埚内杂质含量较高的气体及时排出,提高铸锭质量。

为实现上述目的,本申请实施例提供一种坩埚盖板,具有顶面、底面及侧面,所述坩埚盖板开设有贯穿所述顶面与底面的进气口,所述底面凹陷形成有若干导气槽,所述导气槽的一端在所述侧面上形成相应的排气口。

作为本申请实施例的进一步改进,所述导气槽自所述排气口朝所述坩埚盖板的中间区域线性延伸。

作为本申请实施例的进一步改进,所述导气槽的延伸长度设置为100~400mm。

作为本申请实施例的进一步改进,所述导气槽形成有呈半圆锥面的导风面。

作为本申请实施例的进一步改进,所述导气槽相对所述底面的凹陷深度设置为10~20mm。

作为本申请实施例的进一步改进,所述导气槽的截面设置呈半圆形。

作为本申请实施例的进一步改进,所述导气槽由内向外开口逐渐增大,且所述导气槽形成有平滑曲面状的导风面。

本申请还提供一种铸锭炉,包括底板与护板,所述底板与护板形成向上开口并用以收容坩埚的容置腔,所述铸锭炉还具有如前所述的坩埚盖板,所述坩埚盖板设置在护板上方。

本申请的有益效果是:采用本申请坩埚盖板与铸锭炉,铸锭过程中硅料上方含杂质较多的气体可通过所述导气槽及时排出容置腔,减少气体回流与硅料对碳、氧等杂质的吸收,提高铸锭质量;且结构简洁,便于实施。

附图说明

图1是本申请坩埚盖板的底面结构示意图;

图2是图1中坩埚盖板的侧面结构示意图;

图3是图1中坩埚盖板沿A-A方向的剖面结构示意图;

图4是本申请铸锭炉的部分结构示意图;

图5是本申请坩埚盖板另一实施例的侧面结构示意图。

100-坩埚盖板;101-顶面;102-底面;103-侧面;11-进气口;12-导气槽;121-排气口;122-导气;200-坩埚;301-底板;302-护板。

具体实施方式

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