[实用新型]一种电平转换模块的驱动电路有效

专利信息
申请号: 201922189259.6 申请日: 2019-12-07
公开(公告)号: CN210518265U 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 吕强;孙忠民;郭靖;高连山;赵红武 申请(专利权)人: 西安硅宇微电子有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 电平 转换 模块 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种电平转换模块的驱动电路,其特征在于,包括第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一与非门(I1)和第二与非门(I2),其中:

所述第六PMOS管(P6)的源极连接VDD电源,第六PMOS管(P6)的漏极分别连接第四NMOS管(N4)的漏极、第二电容(C2)和第一与非门(I1)的第一输入端,第六PMOS管(P6)的栅极分别连接第四NMOS管(N4)的栅极、第一与非门(I1)的第二输入端和电平转换模块中信号控制端(IN),所述第四NMOS管(N4)的源极连接第三NMOS管(N3)的源极;

所述第一与非门(I1)的输出端连接第四PMOS管(P4)的栅极,第四PMOS管(P4)的源极连接VDD电源,第四PMOS管(P4)的漏极分别连接电平转换模块中第一PMOS管(P1)的漏极和第一NMOS管(N1)中的漏极;

所述第五PMOS管(P5)的源极连接VDD电源,第五PMOS管(P5)的漏极分别连接第三NMOS管(N3)的漏极、第一电容(C1)和第二与非门(I2)的第一输入端,第五PMOS管(P5)的栅极分别连接第三NMOS管(N3)的栅极、第二与非门(I2)的第二输入端和电平转换模块中信号控制端(IN),所述第三NMOS管(N3)的源极通过第一电阻(R1)接地;

所述第二与非门(I2)的输出端连接第三PMOS管(P3)的栅极,第三PMOS管(P3)的源极连接VDD电源,第三PMOS管(P3)的漏极分别连接电平转换模块中第二PMOS管(P2)的漏极和第二NMOS管(N2)中的漏极。

2.根据权利要求1所述的电平转换模块的驱动电路,其特征在于,所述第一电容(C1)的一端分别连接第五PMOS管(P5)的漏极和第二非门(I2)的第一输入端,第一电容(C1)的另一端连接VDD电源。

3.根据权利要求1所述的电平转换模块的驱动电路,其特征在于,所述第二电容(C2)的一端分别连接第六PMOS管(P6)的漏极和第一非门(I1)的第一输入端,第二电容(C2)的另一端连接VDD电源。

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