[实用新型]光隔离器有效
申请号: | 201922186831.3 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN211928340U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 肖盛哲 | 申请(专利权)人: | 广西安捷讯电子科技有限公司;南宁职业技术学院 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09 |
代理公司: | 广州越华专利代理事务所(普通合伙) 44523 | 代理人: | 杨艳珊 |
地址: | 530000 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离器 | ||
本实用新型公开了一种光隔离器,包括入光准直器、分束晶体、玻片、磁芯、出光准直器和盒体,所述入光准直器与出光准直器分别设置在盒体两侧,所述入光准直器与出光准直器之间依次连接设置有:分束晶体、玻片、磁芯、玻片、分束晶体。磁芯使光束仅能沿一个方向通过,而阻断反向传播的光束。本实用新型的光隔离器具有低插入损耗,高隔离度,结构紧凑,高功率处理,高稳定性。
技术领域
本实用新型涉及光器件领域,特别是一种光隔离器。
背景技术
光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件,光隔离器主要利用磁光晶体的法拉第效应。光隔离器的特性是:正向插入损耗低,反向隔离度高,回波损耗高。光隔离器是允许光向一个方向通过而阻止向相反方向通过的无源器件,作用是对光的方向进行限制,使光只能单方向传输,通过光纤回波反射的光能够被光隔离器很好的隔离,提高光波传输效率。
目前市面上的隔离器采用晶体加黑片形成法拉第效应,隔离度偏低、波纹起伏大及偏振周期短。上述缺陷成为亟待解决的问题。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种光隔离器,具有低插入损耗、高隔离度、结构紧凑、高功率处理、高稳定性等特点。
为实现上述目的,本实用新型的光隔离器,包括入光准直器、分束晶体、玻片、磁芯、出光准直器和盒体,所述入光准直器与出光准直器分别设置在盒体两侧,所述入光准直器与出光准直器之间依次连接设置有:分束晶体、玻片、磁芯、玻片、分束晶体。
进一步地,所述磁芯包括密封外壳、第一磁环、第二磁环、第三磁环、TGG晶体和半波片,第一磁环、第二磁环、第三磁环内部均安装有TGG晶体;第一磁环、第二磁环、第三磁环依次排列连接安装在密封外壳内;
进一步地,第一磁环的南极与第二磁环的南极之间设置有半波片,第二磁环的北极与第三磁环的北极之间设置有半波片。
本实用新型的实质性特点和进步是:
本申请的光隔离器,具有以下有益效果:
TGG晶体为磁光材料,具有大的磁光常数、低的光损失、高热导性和高级光损伤阈值。穿过磁光材料TGG晶体的光束的偏振方向将在磁环的磁场作用下发生偏转,其偏转方向只与磁场方向有关,与光束传播方向无关。磁芯使光束仅能沿一个方向通过,而阻断反向传播的光束。磁芯在法线方向引导光,而在任何偏振状态下,反向反射和后向散射最小化。
本实用新型的光隔离器具有自主的磁光学技术和先进的微光学设计,具有低插入损耗,高隔离度,结构紧凑,高功率处理,高稳定性。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是磁芯的结构示意图。
图中零部件序号及名称:入光准直器1、分束晶体2、玻片3、磁芯4、出光准直器5、盒体6、第一磁环7、第二磁环8、第三磁环9、TGG晶体10、半波片11、密封外壳12。
具体实施方式
以下结合附图描述本实用新型的结构以及工作原理:
见图1所示,本实用新型的光隔离器,包括入光准直器1、分束晶体2、玻片3、磁芯4、出光准直器5和盒体6,入光准直器1与出光准直器5分别设置在盒体6两侧,入光准直器1与出光准直器5之间依次连接设置有:分束晶体2、玻片3、磁芯4、玻片3、分束晶体2。
磁芯4包括密封外壳12、第一磁环7、第二磁环8、第三磁环9、TGG晶体10和半波片11,第一磁环7、第二磁环8、第三磁环9内部均安装有TGG晶体10;第一磁环7、第二磁环8、第三磁环9依次排列连接安装在密封外壳12内。
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