[实用新型]一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构

说明书

本实用新型涉及射频前端TR切换和雷达天线极化切换控制电路，具体涉及一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，包括第一RF端口Tx，第二RF端口Rx，第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管。所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个端口的开关状态；所述第一RF端口Tx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接；所述第二RF端口Rx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接。本申请用一个开关同时实现射频收发切换和天线极化切换两种功能，并能与适用于放大器的半导体工艺集成，提高TR芯片的集成度、减少装配步骤、提升产品一致性。

技术领域

本实用新型涉及射频前端TR切换和雷达天线极化切换控制电路，具体涉及一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构。

背景技术

射频（RF）开关用于选择性的打开或闭合射频信号的电连接。在很多应用中，高电子迁移率场效应晶体管(pHEMT)用作RF开关，有时使用PIN二极管，还可以使用双极结型晶体管(BJT)作为RF开关。现有的开关结构的不足之处主要在于：1.无法用一个开关同时实现射频收发切换和天线极化切换两种功能；2. 在TR芯片(系统)的集成度、装配简化以及产品的一致性方面都存在不足。

发明内容

为实现上述实用新型目的，本申请通过如下的技术方案来实现：

一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，其特征在于：

包括：第一RF端口Tx，第二RF端口Rx，第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管，所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个端口的开关状态；所述第一RF端口Tx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接；所述第二RF端口Rx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接。RF信号由端子第一RF端口Tx进入，经过两个开关的选择性打开或闭合，RF信号可以选择性的耦合至目的地第三RF端口V或第四RF端口H。或RF信号由第三RF端口V或第四RF端口H进入，由两个开关的选择性打开或闭合，RF信号可以选择性的耦合至目的地第二RF端口Rx。所述pHEMT晶体管包含串联、并联和串并联组合等多种拓扑，栅极电压供给电路，被配置为将栅极电压选择性提供至所述pHEMT晶体管的栅极端子。所述pHEMT晶体管被配置为当所述栅极电压供给电路提供栅极电压时在正向饱和或反向饱和中的一种状态下工作。

还包括与pHEMT晶体管Cds谐振的电感L1和L2。

还包括与pHEMT晶体管阻抗匹配、隔直和提供直流通路的电容器、电感器、电阻器和微带线。

还包括所述第一RF端口Tx，第二RF端口Rx，第三RF端口V和第四RF端口H与参考电势之间的阻抗。

所述阻抗包括具有50Ω的电阻值的电阻器。

所述参考电势是地。

本实用新型的有益效果：

本申请用一个开关同时实现射频收发切换和天线极化切换两种功能，并能与适用于放大器的半导体工艺集成，提高TR芯片(系统)的集成度、减少装配步骤、提升产品一致性。

附图说明

图1是一种射频收发兼天线极化切换的开关的拓扑结构。

图2是根据实施例的器件的框图。

图3是可在实施例中使用的pHEMT晶体管的示图。

图4-图6是示出了几种用于图1所示的同一种射频收发兼天线极化切换开关拓扑结构的开关晶体管组态，且根据性能需求，实际电路应用中开关晶体管组态不限于这几种。

图7是示出了根据实施例的器件的电路图，并根据性能需求，选择了图6的开关晶体管组态，但不限于图6中的开关晶体管组态。

具体实施方式