[实用新型]电子器件产品

权利要求书

1.一种电子器件产品，包括夹在第一P区域和第二P区域之间的N区域，所述电子器件产品还包括：

第一次级N区域，其被制造在所述第一P区域中，所述第一次级N区域包括第一结深；

第二次级N区域，其被制造在所述第一P区域中，所述第二次级N区域包括第二结深；

其特征在于所述第一结深与所述第二结深不同。

2.根据权利要求1所述的电子器件产品，其特征在于还包括：

第三次级N区域，其被制造在所述第二P区域中，所述第三次级N区域包括第三结深；以及

第四次级N区域，其被制造在所述第二P区域中，所述第四次级N区域包括第四结深，其中，所述第三结深与所述第二结深不同。

3.根据权利要求2所述的电子器件产品，其特征在于所述第一次级N区域、所述第二次级N区域、所述第三次级N区域和所述第四次级N区域各自包括不同的子发射极电阻。

4.根据权利要求2所述的电子器件产品，其特征在于电子器件操作为平衡栅极电流能够在多达四个操作象限中操作的三端双向交流开关。

5.一种电子器件产品，包括：第一P区域、与所述第一P区域相邻的N区域、和与所述N区域相反面相邻的第二P区域、栅电极、主端子1(MT₁)电极、以及MT₂电极，电子器件还包括：

栅极发射极结，其被制造在所述第一P区域中，所述栅极发射极结包括第一结深；

MT₁发射极结，其被制造在所述第一P区域中，所述MT₁发射极结包括第二结深；

其特征在于所述第一结深与所述第二结深不同。

6.根据权利要求5所述的电子器件产品，其特征在于还包括MT₂发射极结，其被制造在所述第二P区域中，所述MT₂发射极结包括第三结深。

7.根据权利要求6所述的电子器件产品，其特征在于所述第三结深与所述第一结深不同。

8.根据权利要求6所述的电子器件产品，其特征在于所述第三结深与所述第二结深不同。

9.根据权利要求6所述的电子器件产品，其特征在于所述栅极发射极结、所述MT₁发射极结、和所述MT₂发射极结各自包括不同的子发射极电阻。

10.根据权利要求6所述的电子器件产品，其特征在于所述电子器件操作为平衡栅极电流能够在多达四个操作象限中操作的三端双向交流开关。