[实用新型]一种芯片倒装金属封装结构

说明书

本实用新型涉及一种芯片倒装金属封装结构，它包括引线框架(1)和MOS芯片(2)，所述引线框架(1)包括源极框架(11)和栅极框架(12)，所述源极框架(11)包括源极载片台(111)和源极输出引脚(112)，所述栅极框架(12)包括栅极载片台(121)和栅极输出引脚(122)，所述MOS芯片(2)一面设置有源极(21)和栅极(22)，另一面设置有漏极(23)，所述MOS芯片(2)的源极(21)和栅极(22)上分别设置有源极凸块(24)和栅极凸块(25)。本实用新型能够解决传统金属封装在MOS芯片应用中输出及散热问题。

技术领域

本实用新型涉及一种芯片倒装金属封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

传统的Diode(二极管)以及Transistor(三极管)或是MOS的封装产品，一般都是由塑封料包覆、只留外部引脚暴露在塑封体之外。由于塑封料本身不是一种热导的物质，所以传统的Diode(二极管)以及Transistor(三极管)或是MOS产品在工作时所产生的热量很难通过塑封料消散出封装体，而只能依靠细细的互联金属丝把热量传导至金属引脚把热量消散出塑封体，但是这种热消散的方式对封装体散热起到的作用是非常有限的。

已知的一种MOS芯片封装利用了金属盖作为封装载体，如图1～图2所示，金属盖上设置有一个凹槽以及向凹槽相对两侧延伸的台阶状侧壁，所述凹槽中设置有MOS芯片，所述MOS芯片的漏极与凹槽表面通过焊料电性连接，所述台阶状侧壁作为漏极的电性输出引脚，所述MOS芯片的源极和栅极则直接通过点涂导电焊料或者外植导电金属球作为电性输出焊点，所述漏极的电性输出引脚与所述源极和栅极的电性输出焊点位于同一平面。但是这种已知的金属封装在应用中有以下局限：

1、所述金属壳体是一个开口的半封闭空间，金属壳体与芯片漏极之间往往会存在空气残留，在电子部件工作升温时往往会造成其可靠性的问题；

2、MOS芯片在工作时源极热量输出最大，而现有的MOS芯片封装以MOS芯片的漏极与金属壳体进行焊接散热，这就导致封装整体散热效果不好。

3、由于点胶工艺的限制，小型MOS芯片的压区较小，有效点胶面积不足，进而有效焊接面积不足，导致MOS芯片与金属壳体间易造成虚焊；

4、由于点胶工艺的限制，小型MOS芯片的源极和栅极间距较小，点胶后容易扩散在一起造成产品短路；

所以，如何克服现有技术的种种问题，提供一种可提高散热的芯片倒金属封装结构，成为业界迫切解决的课题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种芯片倒装金属封装结构，它能够解决现有MOS金属封装的一系列可靠性问题。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种芯片倒装金属封装结构，它包括引线框架和MOS芯片，所述引线框架包括源极框架和栅极框架，所述源极框架包括源极载片台和源极输出引脚，所述栅极框架包括栅极载片台和栅极输出引脚，所述MOS 芯片一面设置有源极和栅极，另一面设置有漏极，所述MOS芯片的源极和栅极上分别设置有源极凸块和栅极凸块，所述源极凸块通过导电焊料与源极载片台电性连接，所述栅极凸块通过导电焊料与栅极载片台电性连接，所述源极输出引脚与所述源极载片台相连并向MOS芯片的漏极方向翻转，所述栅极输出引脚与所述栅极载片台相连并向MOS 芯片的漏极方向翻转，所述源极输出引脚和栅极输出引脚齐平于或略高于所述MOS芯片漏极所处平面。

优选的，所述源极凸块和栅极凸块均在芯片制程中完成。

优选的，所述源极载片台和栅极载片台相对MOS芯片的一面设置有散热金属柱阵列。

优选的，所述MOS芯片与引线框架之间填充有不导电焊料。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：