[实用新型]QFN封装载板及半导体器件有效

专利信息
申请号: 201922154518.1 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN210866166U 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 彭彧;余训松;沈堂芹 申请(专利权)人: 嘉盛半导体(苏州)有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/498
代理公司: 北京超成律师事务所 11646 代理人: 孔默
地址: 215027 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: qfn 装载 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种QFN封装载板,其特征在于,包括:焊盘区和间隔设置在所述焊盘区周围的多个导电焊盘,

所述焊盘区用于放置具有微焊垫的芯片;

所述导电焊盘上设有金属层,所述导电焊盘上的金属层与所述芯片的微焊垫通过外部的引线连接。

2.根据权利要求1所述的QFN封装载板,其特征在于,所述焊盘区与所述导电焊盘之间的间隙中填充有塑封料。

3.根据权利要求1所述的QFN封装载板,其特征在于,所述导电焊盘包括导电接合部和连接部,

所述导电接合部设置在邻近所述焊盘区的一方,所述金属层设置在所述导电接合部上;

所述连接部设置在远离所述焊盘区的一方;

所述导电接合部与所述连接部之间电连接。

4.根据权利要求3所述的QFN封装载板,其特征在于,所述连接部连接另一连接部,其中,所述另一连接部为另一焊盘区中的连接部。

5.根据权利要求4所述的QFN封装载板,其特征在于,所述连接部与所述另一连接部一体成型。

6.根据权利要求3所述的QFN封装载板,其特征在于,所述金属层在导电焊盘上的投影落在所述导电接合部内。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的QFN封装载板,其特征在于,所述金属层为镍、钯、金或铜。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的QFN封装载板,其特征在于,所述金属层的厚度为20至50微米。

9.根据权利要求3至6中任一项所述的QFN封装载板,其特征在于,所述金属层采用电镀工艺敷设于所述导电接合部上。

10.一种半导体器件,其特征在于,包括芯片、引线和权利要求1至9中任一项所述的QFN封装载板,所述芯片封装于所述QFN封装载板中,通过所述引线连接所述芯片与所述QFN封装载板。

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